美国国际电力电子应用展览会（APEC）将于3月19-23日在美国佛罗里达州举办，由IEEE-产业应用学会(IAS)、电力电子学会(PELS)，美国电源制造商协会(PSMA)联合主办。该展会是目前全球电力电子、电源领域规模最大、水平最高的展览会议。来自各地的公司及组织将在现场展示电力电子新产品、新技术，是各国电子行业专业人士的重要交流平台。

作为一家旨在用高性能、低成本的硅基氮化镓电力解决方案构建全球能源生态系统的高新技术企业，英诺赛科将携多领域应用方案与新产品在APEC上亮相，并分享技术报告。（英诺赛科展位号：310）

方案展示

01InnoGaN in Life

Realme GT 2手机

内置英诺赛科双向导通器件（V-GaN），以一颗氮化镓替代两颗SiMOS，将体积缩小50%、效率更高。

3KW户外存储电源

芯仙（英诺赛科增值经销商）设计的 2KW 便携式户外储能电源方案，采用图腾柱无桥电路和全桥 LLC 拓扑结构设计而成，为高效率、小体积的便携式户外储能产品提供参考。

雅迪电动滑板车适配器

雅迪推出了全球首款适配其冠能3 S9 MAX电动滑板车的TTFAR氮化镓充电器，内置英诺赛科INN650DA260A，比传统Si适配器充电更高效、设计更紧凑。

500WClassD

英诺赛科与合作伙伴共同开发的500WClassD（功放）方案，为音响设备提供极致的音频体验和更高的能效。

02InnoGaN in Datacenter

英诺赛科为数据中心提供了全链路氮化镓解决方案，实现更高效率、功率密度、损耗减少50%，打造绿色数据中心。

2KW钛金级PSU和4KW PFC

用于前端AC/DC功率转换，2KW PSU 电源峰值效率96.2%，整机效率满足钛金能效标准，功率密度远高于Si 方案。满足云计算、人工智能等对数据中心供电单元更高功率密度的需求。

1KW 48V-12V DC-DC模块电源

采用英诺赛科合封产品 SolidGaN ISG3201（集成半桥和驱动器）制成，在效率和体积方面具有最佳性能，功率密度高达2150 W/in3。

此外，Oring，Hotswap，VCore解决方案也将一并释出，为数据中心全链路氮化镓方案提供高效率、低损耗的参考设计。

03InnoGaN in Automotive

汽车行业对氮化镓的反应非常积极，不久前特斯拉宣布将在其电动车应用中减少75%的Si芯片，这对氮化镓而言或许是一个好的信号。英诺赛科将在现场展示以下自动驾驶相关的产品及方案。

激光雷达

采用英诺赛科 100V 氮化镓芯片的激光雷达，反馈速度更快，更精准。

2.4KW 48V-12V双向DCDC

用于轻混、储能的2.4KW 48V-12V双向转换器，Buck满载效率比目前的Si解决方案高1.5%。

150W buck boost

用于车载充电器的高功率紧凑型150W buck boost，有着良好的系统效率与温升表现。

1KW电机驱动

采用三颗英诺赛科合封产品SolidGaN ISG3201（集成半桥和驱动器）制成，设计简洁，体积小，具备优异的散热性能，峰值效率大于99%。

技术分享

3月21日11:30Denis Marcon博士

《基于8英寸硅基氮化镓技术平台开发的高性能GaN开关管》——英诺赛科欧洲市场总监

3月22日10:40孔鹏举博士

《低压集成氮化镓解决方案：将效率和工作频率提升到新水平》——英诺赛科系统应用部副总裁

3月23日09:20孔鹏举博士

《应用于轻混电动车的2.4KW 48V-12V双向转换器方案解析》——英诺赛科系统应用部副总裁

英诺赛科首席市场营销官冯雷博士表示：“GaN确实无处不在，正如我们即将在APEC展示的那样。我们将推出新产品，包括SolidGaN系列半桥驱动产品，符合行业标准封装的（DFN、Toll、QFN）TO252和TO220系列产品，打破GaN器件传统封装限制。英诺赛科也正积极推进GaN器件封装的标准化，让客户更加放心，并加快向GaN过渡。”

3月19-23日，美国佛罗里达州见！

END

英诺赛科是全球领先的GaN IDM高新技术企业，汇集了半导体行业资深的研发与应用团队，致力于第三代半导体硅基氮化镓 (GaN-on-Si) 研发与制造。我们拥有全球最大的8英寸硅基氮化镓晶圆生产能力，产品设计及性能处于国际先进水平，为客户提供从30V 到700V的高、低压全功率氮化镓芯片。自2015年成立至今，英诺赛科已获专利700多项，累计出货量超1亿颗。产品可广泛应用于消费电子、服务器电源、汽车电子及新能源领域等前沿领域。

英诺赛科，用氮化镓打造绿色高效新世界！

文章来源：英诺赛科