上海微电子IC前道制造光刻机能实现90nm芯片量产，目前在攻克28nm光刻机。也别小看了90nm的工艺制程，WiFi芯片、LCD驱动芯片、电源管理芯片、射频芯片、各种数模混合电路等等都是90nm光刻机制造。

假如上海微电子在ASML当初的环境下，可能已经可以做到和ASML比肩了。因为ASML的光刻机有90%以上物件出自其他供应商，比如美国的光栅、德国的镜头、瑞典的轴承、法国的阀件等等。ASML仅仅把握着高度光刻机的核心技术曝光。

《瓦纳森协议》规定28nm以下光刻机关键装备向我国禁运，这对于国内光刻机领域、芯片领域的企业来说一切都没有全球一体化的捷径可走，每完成一次微小的蜕变都需要踩下一个深刻的脚印。在这样的大环境下，上海微电子光刻机弯道超车、换道超车的可能性很小。光刻机市场也并没有想象中那么大，只要稍微技术落后一点点，市场份额就会被竞争对手占据，如此就没有稳定的资金回流，也没有太多的研发经费了。

造高端光刻机这件事要认清现实

既然造高端光刻机这件事这么难，国际形势又那么恶劣，广大网友们更不应该在获得一点小道消息时就吹上天，说“弯道超车”、“换道超车”之类的话，这跟印度三哥吹牛皮又有啥区别，也不应该将造光刻机这件事贬入地，历史告诉我们再难也总会过去，也总会守得拨云见日。不吹上天，不贬入地，等待我国光刻机领域产业链、技术、人才的完善。

光刻机是制造芯片的核心装备，制造难度极大，尤其是步进投影和扫描投影这两类高端投影式光刻机，更是被誉为世界上最精密的仪器，售价高至1.2亿美金，比某些先进战机的售价还要高。

目前高端光刻机制造领域，全球只有少数几家公司能掌握，那就是荷兰的ASML，日本的尼康和佳能。

不过中低端领域，位于上海的上海微电（SMEE）也能触及，而且全球光刻机市场以中低端产品为主，市场前景还是非常广阔的。

早期国产光刻机的研发

到了2007年，上海微电600系列光刻机问世，型号主要包括SSA600/20、SSC600/10和SSB600/10三款，可满足90nm-280nm关键层和非关键层的光刻工艺。

600系列的推出距今也有15年的时间了，那么他在当时处于什么水平呢？这大概相当于2004年英特尔最新款奔腾4处理器，在当时来说，相对较为先进，但两年后的2006年，ASML就首度推出了EUV光刻机的原型、2010年样机NXE3100面世、2015年实现少量量产，将光刻机的先进程度推向了一个新的高度。

反观上海微电，自15年前推出最高工艺节点90nm的600系列之后，受限于技术、人才，以及禁售、禁技术输出扶持等各项复杂因素，继续突破遇到了极大的瓶颈。

直到今年七八月份，传出上海微电交付28nm光刻机，通过多次曝光技术可用于14nm芯片的制造并能保证良品率之后，才算是再次迎来了新突破。

从国产芯片90nm到28nm、14nm，能侧面印证我们在光刻机制造领域的进步，而三星和台积电等芯片厂商却朝着7nm、5nm、3nm在进发，这是否已经说明我们在光刻机制造领域已经远远落于人后了呢？

其实完全不用这么悲观，如果与ASML、尼康和佳能等顶级光刻机厂商对比，确实存在“代差”，但如果放眼全球，以上海微电为代表的中企，尚处在第三梯队。

若从制造技术上对全球各厂商排个名，大致是这样的顺序：

第一梯队，荷兰ASML遥遥领先

从2021年全球478台前道光刻机的出货数据来看，ASML的309台，占比是65%，剩余的35%几乎被日本的尼康和佳能全部占据着。

虽说三家头部企业已经实现了光刻机出口市场上的绝对垄断，但如果具体到EUV高端光刻机，ASML的市场份额近乎100%，这是尼康和佳能也无法企及的。即便是DUV光刻机，精度更高的ArFi、ArF Dry也是ASML说了算，市场份额占比分别是96%和88%。

由此不难看出，在高端光刻机领域，ASML出于独一档的存在，全球其他厂商尚没有能力撼动其地位。

第二梯队，尼康和佳能

在第二梯队上，尼康和佳能的地位，其他厂商又无法撼动，两者牢牢占据着全球剩余近35%的市场份额。

不过，纵然市场份额较大，但出口的光刻机基本上以低端光刻机为主，比如2020年和2021年，ASML分别出口了31台和42台EUV光刻机，而尼康和佳能的出口量则为0。

再比如按照2021年的数据，DUV中精度更高的ArFi光刻机，尼康出口了4台、佳能是0台，而ASML则是81台；ArF Dry更甚，尼康出口了3台、佳能是0台，ASML是22台。

只有在低端市场，尼康和佳能才有一定的市场份额，比如KrF光刻机，佳能出口了38台；i-line光刻机，佳能出口了102条，多于ASML的33台。

无疑，尼康和佳能两家日企在光刻机市场的主要优势集中在低端领域，尚能与ASML掰掰手腕。

第三梯队，上海微电

具体说一下上海微电吧，其实在去年全球总共478台前道光刻机的出货量中，光刻机类别主要有5种，分别是EUV、ArFi、ArF Dry、KrF和i-line，能到达的最短制程分别对应7nm以下、45-7nm、65nm、180nm和0.35um，其中1um=1000nm，也就是最低端的i-line对应的是350nm。

上文说到，上海微电的600系列，最高工艺能达到180nm，也就是说理论上，在5中主要类别的光刻机市场上，按道理来讲，上海微电应该在KrF和i-line上有一席之地。

然而现实却很残酷，实际上上文也提到了，ASML、尼康、佳能三者的总份额近乎100%，几乎没有上海微电600系列的份额。

所以上海微电究竟在国际上处于一个什么样的水平，大家应该有一个较为直接和清醒的认识。

上海微电SMEE

综上来说，上海微电纵然在国内光刻机市场占据着80%的份额，但倘若放眼全球，其竞争力水平尚不能与ASML甚至佳能、尼康相提并论，600这一成熟系列距研发成果至今，已经有15年的时间了，在国际上的竞争力稍显不足。

客观求是的讲，我们在光刻机领域的进步是明显的、看得见的，但也绝不能过分的“捧杀”，这对技术进一步改良和进步一点好处也没有。相对落后并不可怕，怕的是取得一点成绩就沾沾自喜，我们还是应该有一个较为准确的定位和清醒认识的，既不捧上天，也不贬入地。