中科潞安牵头大功率深紫外AlGaN基LED发光材料与器件产业化关键技术获得立项
来源:半导体产业网 发布时间:2022-12-21
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近日,由山西省科学技术厅推荐、山西中科潞安紫外光电科技有限公司牵头的国家“十四五”重点研发项目“大功率深紫外AlGaN基LED发光材料与器件产业化关键技术”成功获得立项。据悉,该项目总预算达4450万元,其中中央财政专项资金1950万元,项目整体分为四个课题,参与单位还包括北京中博芯半导体科技有限公司、泉州三安半导体科技有限公司、华中科技大学、中国科学院半导体研究所等9家科研院所、企业。该项目研究内容涵盖深紫外LED先进外延技术、芯片制造技术、封装技术和可靠性评价,力求实现高性能大功率深紫外LED外延芯片量产,同时电光转化效率、光功率、寿命等主要性能指标突破国际瓶颈。
项目牵头单位中科潞安以自主创新技术立身,围绕第三代半导体氮化物深紫外光电材料,开展了深紫外LED专用MOCVD设备、深紫外LED芯片制造以及应用产品开发,突破了一系列产业化关键技术。在山西省科技重大专项等项目的支持下在深紫外LED领域积累了雄厚的研发基础,各项技术指标现已达到国际先进水平,完成了研发成果产业化,成为国际上仅有的集核心装备、核心材料、芯片制造、封装应用于一体的垂直整合型深紫外LED高新技术企业。
本项目的成功立项,是对我省第三代半导体产业链整体研发实力的充分肯定。下一步,省科技厅将坚持面向国家重大需求,聚焦行业关键共性技术,集中优势资源,着力加强跨部门、跨行业、跨区域研发布局和协同创新,深化科技成果转移转化,持续推进国家重点研发计划项目各项工作。
(来源:山西省科学技术厅门户网站)
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