据Tom's Hardware引述国际光学与光子学会（SPIE）报告称，中科院研究人员成功开发出一种固态深紫外光（DUV）激光技术。这一技术能够在实验室环境下产生193纳米波长光源，与当前半导体曝光技术所采用的关键光源波长一致。尽管该技术仍处于早期研究阶段，但其潜在应用前景备受关注。
目前，全球主要的DUV曝光设备制造商如ASML、Canon和Nikon，均采用氟化氩（ArF）准分子激光技术。这种技术通过氩（Ar）和氟（F）气体混合物在高压电场下生成不稳定分子，释放出193纳米波长的光子。这些光子以短脉冲、高能量形式发射，输出功率可达100 W~120 W，频率在8 kHz~9 kHz之间，最终通过光学系统调整后用于曝光机设备。
相比之下，中科院的固态DUV激光技术完全基于固态设计。其核心由自制的Yb:YAG晶体放大器生成1,030纳米激光，并通过两条不同的光学路径进行波长转换。一种路径采用四次谐波转换（FHG），将1,030纳米激光转换为258纳米，输出功率为1.2 W；另一种路径利用光学参数放大（OPA）技术，将1,030纳米转换为1,553纳米，输出功率为700 mW。
最终，这两束激光（258纳米和1,553纳米）通过串级硼酸锂（LBO）晶体混合，生成193纳米波长的激光光束。其平均功率为70 mW，频率为6 kHz，线宽低于880 MHz，光谱纯度与现有商用准分子激光系统相当。
尽管中科院的技术在光谱纯度上已接近商用标准，但其输出功率和频率仍远低于现有技术。例如，ASML的ArF准分子激光技术输出功率可达100 W以上，频率超过9 kHz，而中科院的固态DUV激光仅分别达到70 mW和6 kHz，尚无法满足高产能晶圆制造需求。
分析认为，这一技术的实际应用仍需依赖多代研发与工程突破，但其潜力不容忽视。
