美国商务部产业安全局(BIS)于7日宣布最新输中出口管制新规与强化规范，在其新闻稿中，尽管BIS条列种种美系供应商出货国内的严格执行规定，除了此前盛传的14纳米制程逻辑芯片设备输中管制已获证实外，更首度纳入国内DRAM与NAND产业断供美系先进制程设备威胁。
不过，据金融时报(FT)报导指出，拜登政府此番最具有「新颖」取向(novel approach)的管制手段，更体现在商务部明令禁止，美国法人(企业)或自然人(公民)，不得在未获许可前提下，透过直接或间接的方式，协助国内业者涉及IC制造与开发。
尽管商务部官员目前并未对此条款多做说明，但预计在10月13日举行的公开简报在线会议中，BIS将针对出口管制新规进一步厘清。
不过，美国政府先前透过外国直接产品规则(Foreign Direct Product Rule；FDPR)等科技制裁机制，成功阻断华为海思取得台系IC设计与晶圆代工业者供货先进制程芯片途径；此番FDPR相关管制恐将箝制台系业者供货国内客户高效能芯片之外，华府更进一步防堵所谓的「美国人才」落入国内之手、助其先进制程推进。
美国政府这一条US persons条款，不仅被外媒视为是在此番祭出的广泛管制措施中，重要性最高且最具扩张性质的管制条款，更被认为恐将替未来出手的制裁，埋下伏笔，意味着即便现阶段未在BIS明文管制之列，仍有可能触犯商务部管制新规。
中芯国际14纳米FinFET制程虽从2019年第四季起开始量产，但至今对于营收贡献度仍未明朗化，如今美国政府在切断中芯取得10纳米以下设备后，更进一步收紧该厂取得14纳米制程美系设备的途径。
据彭博(Bloomberg)引述BIS强调，在许可执照申请案审核上，基本上采取推定禁止原则，意味中芯未来14纳米以下制程设备来自美系供应商的困难度，势必将大幅垫高，此举恐将危及国内半导体先进制程的推进，遑论7/5纳米以下制程节点量产；未来若国内本土设备业者供货14纳米无法及时支应，恐将导致中芯14纳米产线断供。
责任编辑：梁燕蕙
