
华尔街日报(WSJ)日前报导,美国商务部计划在2月下旬公布企业如何申请527亿美元《芯片与科学法案》(Chips and Science Act)补助的实行细则,然芯片法案采取「胡萝卜与狼牙棒」两手策略,不仅拨款补助厂商赴美建厂,也同时禁止获补贴业者在国内扩产先进制程。
对此,韩国每日经济新闻英文版网站ThePulse日前引述消息人士透露,韩国两大存储器芯片供应商三星电子(Samsung Electroncis)与SK海力士(SK Hynix)的公司高层,近期赴美与华府相关单位洽商,要求取得豁免或至少类似的宽限期。
有监于2022年10月美国拜登政府祭出对输中先进制程设备出口管制全面升级后,两大韩厂位于国内西安与无锡的产线,取得1年的豁免优待;三星与SK海力士高层此番飞赴美国,讨论涉及美国芯片法案的后续措施,针对美国政府对国内的出口管制进行紧急讨论。
在攸关527亿美元补贴的拨款规定里,原则上禁止受补贴业者在未来10年间赴国内投资扩产半导体制造产能;但若是用于「成熟制程」芯片、在国内「既有厂房或设备」的投资,以及大规模投资成熟制程芯片,主要服务国内当地市场需求者,则不在此限。
这意味着,包括台积电南京厂、松江厂,三星西安厂、苏州厂,SK海力士无锡厂、大连厂,以及美光(Micron)、英特尔(Intel)位于西安、上海、成都厂等「既有厂房与设备」,在未来10年仍有继续投资扩产的机会。
只不过,拨款法案虽然给出回旋空间,但无论是否服务于国内市场需求,还是有部分产品出口海外市场,关键仍在于「成熟制程芯片」(legacy semiconductor process):先进制程一律禁止,成熟制程认定仍未明确。
根据该条款,如果三星和SK海力士获得美国芯片法案补贴,未来10年将被限制在国内进行额外投资:既有DRAM与NAND Flash时代产线投资应不成问题,但韩厂若想更新升级设备,例如SK海力士若是想要在无锡DRAM厂导入EUV曝光机台量产次时代存储器,现阶段已遭禁止,未来恐怕也升级困难。
三星在德州泰勒厂斥资170亿美元晶圆厂已于2022年底动工兴建,预计2024下半年量产4纳米制程;SK海力士也计划斥资150亿美元在美国进行先进封装制造和芯片相关研发,并计划在2023年为先进封装工厂选址,韩媒报导该工厂将在2025年至2026年之间开始量产。
两大韩厂目前面临的现实问题在于:即便不申请美国芯片法案补贴,无锡、西安等厂目前能够取得的设备宽限期也只有1年,未来能否展延,仍待与华府洽谈;至于未来正式递件、取得芯片法案拨款补助后,更让其「狼牙棒条款」勒住两大韩厂在国内产线的升级规划,孰轻孰重,这其中的计较恐怕只有业者心中自有一把尺。
责任编辑:张兴民
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