美再设路障 确保国内IC设计无法借道超车
来源:刘宪杰 发布时间:2022-08-16 分享至微信


国内半导体加速自主化的过程中,在海思被制裁之后,设计端的发展就越来越受限。法新社

国内半导体加速自主化的过程中,在海思被制裁之后,设计端的发展就越来越受限。法新社

美国商务部上周推出更多对国内的技术管制,其中一项是禁止针对GAAFET晶体管架构的EDA软件输入国内,就实际意义来说,这等于是限制住国内IC设计未来在3纳米以下制程的发展,在没有EDA软件的支持下,国内IC设计未来将无法设计采用GAAFET架构的任何产品。


熟悉IC设计业界人士指出,这项禁令短期之内无论是对于国内业者,还是整个半导体供应链来说,影响都不大,比较偏向是超前部署。


据了解,目前三星电子(Samsung Electronics)在3纳米制程已经启用GAAFET架构,而台积电则是预计在2纳米使用,因此,根据禁令内容,未来国内IC设计业者仍然能够设计FinFET架构的3纳米制程产品,并投片在台积电的3纳米制程,但三星就确定无法支持相关订单了。


至于台系的IC设计服务及IP业者,目前与国内客户的合作,多数还没有包含到这么先进的制程节点,短期内对营运并无显着影响。


在国内半导体加速自主化的过程中,在海思被制裁之后,设计端的发展就越来越受限,仅有部分国家资本扶持的国内IC设计业者,针对高速运算、挖矿、AI加速等芯片产品,会采用到先进制程,未来这些产品预计也会逐步往5纳米、3纳米甚至更高的2纳米走。


虽然3纳米以下的市场,全球已经没有多少IC设计业者有能力驾驭,国内业者现在更可以说是几乎没有量的状态,但假以时日还是有机会推进到这个技术节点。


相关业者指出,也是因为这个禁令现在对多数半导体供应链来说几乎没有损失,美国才会毫无顾忌地提前宣布,这为的就是避免国内业者以商用产品为理由,向台积电、三星等业者投片,取得足够的先进制程芯片后,借此用于军事等其他用途。


虽然这个布局的距离是比较长远,但也不排除未来是否会有进一步的禁令,市场人士指出,美国商务部其实对于EDA软件的禁令已经酝酿多时,现在只是先对短期影响较小的GAAFET架构来禁止。


如果美中双方的利益冲突未来进一步加剧,往FinFET架构实施禁令并不是不可能的事,届时的影响范围就会非常巨大,除了EDA软件业者可能跳脚之外,由于FinFET制程涵盖范围非常大,等于国内IC设计业者最多就只能设计到28纳米的产品,往下的所有制程通通无法涉略。


美国最终是否会将禁令延伸到这个程度,最终应该也是偏向政治决策,但可以预期美国商务部会继续采取这种「切香肠式」的政策工具,弹性调整禁令的上限,来确保国内的半导体发展状况能够在美国的掌握之中。


毕竟对于美国来说,只要不妄图挑战美国的技术领先地位,如果国内在半导体领域能够像过去一样发挥成本效益,生产一些大宗的中低端产品,来降低电子产品的生产成本,美国仍然会表示欢迎,但在现在这样的政治氛围下,双方恐怕难以达到这样的平衡点。



责任编辑:陈奭璁



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