Micro LED"利刃"出鞘!国星光电推出新型MIP封装器件方案
来源:半导体产业网 发布时间:2010-01-02 分享至微信
半导体产业网讯:
在国家政策的大力推进下,5G+4K/8K全面开启了万物互联时代,给各行各业带来了众多机遇和挑战。其中,Micro LED显示技术也迎来了蓬勃的发展,但如何让技术实现成果转化,在市场上占有一席之地,关键还在于如何平衡产品性能与成本的关系。
(来源:国星光电)
在国家政策的大力推进下,5G+4K/8K全面开启了万物互联时代,给各行各业带来了众多机遇和挑战。其中,Micro LED显示技术也迎来了蓬勃的发展,但如何让技术实现成果转化,在市场上占有一席之地,关键还在于如何平衡产品性能与成本的关系。
LED超高清显示时代机遇与挑战并存
Micro LED凭借低能耗、高亮度、高对比度及高可靠性的特性,满足了各种像素密度和各种尺寸显示的需求,如AR/VR、智能手表、大屏电视等。随着LED芯片面积不断减小,单位面积晶圆利用率大幅提高,也意味着LED芯片成本不断下降。
经对比,单片4寸晶圆可以生产约350K数量的0408(4mil*8mil)芯片,当芯片面积尺寸缩小至0204(2mil*4mil)时,同样的晶圆面积下大约可产出1400K数量的芯片,这使得单个芯片成本下降60%以上。
Micro LED凭借多项优势特点,正逐步展现其巨大应用潜力,成为最佳新型高清显示方案,势必为整个产业链带来腾飞的东风。
作为LED封装技术创新领跑者,国星光电不遗余力进行产品创新,依托成熟而强大的生产制造工艺体系,推出新型MIP封装器件方案。
关于MIP新型封装架构
MIP(Micro LED in Package)是一种基于Micro LED的新型封装架构,其脱胎于久经历练的王牌小间距显示产品,可谓是Micro LED和分立器件的有机结合,也是国星光电将Micro LED产品快速切入新型显示市场的一把利刃。基于扇出封装技术思路,国星光电通过自主开发的巨量转移方法,采用黑化基板与高光提取封装路线构筑全新MIP器件,大幅提高器件光电性能,通过将引脚电极放大,使其匹配当前机台设备。因此,除了前述成本优势外,MIP还具有高亮度、低功耗、兼容性强、可混BIN提高显示一致性等优点。
MIP封装架构的实现流程
MIP显示模组性能与应用优势特点
01 高黑占比
一致性高,黑占比超99%
02 特殊光学设计
水平视角极大(≥174°)
03 兼容性强
兼容当前设备机台,可完成测试分选、易检测修复
04 应用性强
更易将Micro LED应用于终端市场
MIP显示模组外观图
作为LED封装龙头,国星光电始终坚持创新驱动战略,瞄准行业趋势,深耕技术产品,强化内功修炼,遵循“量产一代、研发一代、储备一代”的稳健的技术创新发展路线。如今,5G+4K/8K浪潮迭起,新型显示极速发展。国星光电定将紧抓机遇,乘着“十四五”规划和粤港澳大湾区腾飞发展,大力发展以Micro LED、Mini LED等为代表的新型显示技术,为人们美好生活增添光彩。
(来源:国星光电)
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