国星光电子公司风华芯电近日宣布，成功开发出基于扇出面板级封装的D-mode氮化镓半桥模块。这一技术突破使得模块体积相较于传统键合线框架封装减少了超过67%，电路板布板面积降低了30%。

该模块采用自主研发的扇出面板级封装技术，通过铜球键合工艺实现氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMT）与硅（Si MOS）芯片的凸点结构，利用再布线层（RDL）的镀铜工艺实现互连，形成高密度集成的半桥拓扑结构，提升性能。

在性能验证方面，风华芯电将该氮化镓半桥模块应用于100W开关电源，实现了尺寸和效率的显著优化。与传统分立封装产品相比，新模块的开通速度提升了17.59%，开通损耗下降了10.7%。

国星光电子公司在第三代半导体领域已具备功率器件的封装量产能力，完成了氮化镓基功率器件外延片的产品开发，并推出了低杂感碳化硅封装系列产品和集成化GaN-IC产品。

根据TrendForce集邦咨询的《2024全球GaN Power Device市场分析报告》，全球GaN功率元件市场规模预计将从2023年的2.71亿美元增长至2030年的43.76亿美元，复合年增长率达到49%。非消费类应用比例预计将从2023年的23%上升至2030年的48%，汽车、数据中心和电机驱动等场景成为核心应用领域。