6月24日，中科院半导体所发布讣告：中国工程院院士、中国科学院半导体研究所研究员、我国著名半导体材料学家梁骏吾先生因病医治无效，不幸于2022年6月23日17时在北京逝世，享年89岁。

梁骏吾院士简历

梁骏吾院士1933年9月18日生于湖北武汉，1955年毕业于武汉大学物理专业，1956年至1960年在苏联科学院莫斯科巴依可夫冶金研究所攻读副博士学位，1960年获技术科学副博士学位。之后回国担任中国科学院半导体研究所副室主任、助理研究员；1970年至1978年担任湖北宜昌半导体厂助理研究员；1978年晋升为中国科学院半导体研究所研究员。

1997年，梁骏吾当选中国工程院院士，曾任中国电子学会半电子材料学分会主任、名誉主任。他先后荣获国家科委科技成果二等奖和新产品二等奖各1次，国家科技进步三等奖1次、中科院重大成果和科技进步一等奖3次、二等奖4次，上海市科技进步二等奖1次等各种科技奖共20余次。

梁骏吾院士（图自光明日报）

梁骏吾院士从事半导体材料科学研究工作六十多年，是我国早期半导体硅材料的奠基人。

上世纪60年代（1960-1970），梁骏吾在中科院半导体所任助理研究员时，负责国家十二年科技规划中的高纯硅研制，解决了高纯区熔硅的关键技术。他得到电阻率为15×104ohm-cm的硅单晶，是当时国际上最好结果之一，获1964年国家科委颁发的国家科技成果二等奖。

1964-1965年，梁骏吾负责组建GaAs液相外延研究，制备出室温激光器用 GaAs 液相外延材料；他研制的硅无坩埚区熔提纯设备，获1964年国家科委全国新产品二等奖。

1965年，梁骏吾首次研制成功国内第一只室温脉冲相干激光器用的砷化镓外延材料。

1966-1969年，梁骏吾负责156工程中集成电路用硅外延材料任务。解决了连续生长硅高掺杂外延层、SiO2介质层、多晶硅层的工艺技术。为我国第一代介质隔离集成电路提供了外延材料。

1979年，在4K位和16K位DRAM研制中，梁骏吾成功制备大规模集成电路用无位错、无旋涡、低微缺陷、低碳、可控氧含量的高质量直拉硅单晶。该两项研究分别获中科院1979年及1980年重大成果一等奖。

80年代，梁骏吾首创了掺氮中子嬗变硅单晶，解决了硅片的完整性和均匀性的问题，完成了硅中杂质以及外延中气体动力学与热力学耦合计算及微机控制光加热外延炉。获1988年中科院科技进步一等奖。

90年代初，梁骏吾研究 MOCVD 生长超晶格量子阱材料，完成了MOCVD生长 GaAlAs/GaAs 量子阱超晶格材料‘863’任务，突破了我国多年来未能生长低阈值的量子阱激光器材料的局面。在晶体完整性、电学性能和超晶格结构控制方面，将中国超晶格量子阱材料推进到实用水平。

梁骏吾还在太阳电池用多晶硅的研究和产业化等方面发挥着积极作用，近年来从事光伏电池材料和器件工作。

梁骏吾院士主要研究项目和科研成果一览（截图自百度百科）

寄语年轻人

梁骏吾一生与半导体材料科研事业相伴，他曾在采访中说，希望通过自己的科研经历，带给年轻科研人员一些启发，让他们看到这份事业可以有所作为，让他们觉得自己同样能够作出成绩。

梁骏吾院士（图自中国工程院院士馆）

本文内容参考中国科学院半导体研究所、央视新闻客户端、光明日报、新华社报道