随着台积电揭示预定2025年将转向纳米片(nanosheet)晶体管设计、量产2纳米之后，三星晶圆代工(Samsung Foundry)日前也传出，计划在2025年开始量产环绕式闸极场效晶体管(GAAFET)设计2纳米制程，企图齐步向2纳米制程时代推进，不让台积电专美。
据Business Korea、SemiWiki报导，三星传出已经从6月初开始试产(trial production)3纳米GAA制程，但由于尚未确保稳定良率开出，目前仍未敲定3纳米正式量产时间表。
不过，有监于台积电预计2022下半年量产的3纳米制程，仍采相对稳定的鳍式场效晶体管(FinFET)设计，而且台积电也确定要到2025年才转入GAA晶体管设计，三星认为未来3年可说是全球首发GAA制程后，超前台积电的关键时刻。
ExtremeTech指出，纳米片设计也是GAA晶体管的一种形式，英特尔(Intel)先前也宣布类似纳米片计划，称之为RibbonFET晶体管架构。
相较于三星采用纳米线(nanowire)或是台积电的纳米片设计，英特尔的GAA制程更宣称将抢先在2024年第3季量产2纳米时代(Intel 20)，至少比台积电与三星提早6个月，而且英特尔晶圆代工服务业务(IFS)已取得高通、NVIDIA等承诺投片Intel 20节点制程。
FinFET晶体管从英特尔2011年导入以来，由于制程节点持续微缩，已经到了必须寻求其他替代方案的时候，无论是三星宣称的2022年全球首发GAA制程，抑或英特尔2024下半年、台积电2025年导入GAA制程，均着眼于GAA架构能够更为精确的控制电流。
对三星而言，除了2022年全球首发3纳米GAA制程外，未来3年更必须确保该制程良率稳定开出，才能以相较5纳米优异的运算效能与能源效率，以及精确控制电流的GAA架构，迎战台积电。
然而，韩媒从2022年初以来，不仅爆料4纳米制程良率偏低、引发投片客户高通(Qualcomm)不满转单台积电，而且3纳米GAA制程投产良率也迟迟未能提升，尽管日前传出已经低调展开3纳米试产，但截至目前为止，仍未见公司公布正式量产时间表，除了尚未取得重要客户投片三星3纳米，先以三星内部系统LSI事业部产品优先导入外，反观台积电3纳米已经在尚未正式量产前，传出取得英特尔与苹果(Apple)投片承诺。
三星面临的挑战，除了先进制程的良率、客户与产能规模外，不仅台积电稳紮稳打、按步推进3纳米与2纳米制程时代以及FinFET与GAA晶体管结构转换，英特尔假使能够在2023年按时量产3纳米FinFET制程时代(Intel 3)，建立起高通、NVIDIA等美系客户的投片信心，届时，三星要头痛的不仅是追赶台积电、抢食客户，更是手中客户流失给英特尔的迫切性。
责任编辑：张兴民
