芯塔电子1200V SiC MOSFET应用测试
国外知名C公司1200V SiC MOSFE应用测试
公司新一代1200V SiC MOSFET芯片尺寸减少30%，已经通过可靠性测试，获得众多客户的咨询和明确需求。同时，年初芯塔也对外透露，2022年还将推出1700V SiC MOSFET与2款全SiC功率模块。
芯塔电子已对外发布了40余款碳化硅二极管，产品性能对标国际先进企业最新产品，可完全满足高端电源、充电桩、光伏等领域的应用。
目前，公司产品包括：6英寸SiC肖特基二极管芯片，650V-1200V 40多种规格的第五代SiC肖特基二极管器件，SiC MOSFET器件和模块等，并逐渐形成比较完整的功率器件产品体系。
公司目前已积累上百家客户资源，并进入了行业标杆客户。在资本方面，获得了政府的有力支持和头部资源投资，此举将助推公司更加快速的发展。未来，芯塔电子将加快创新驱动，携手国内第三代半导体产业链共同助力中国新能源产业发展。
下一步规划
年初，在接受媒体采访时，公司创始人倪炜江博士表示：“芯塔电子技术团队凭借十多年研发和工艺经验积累，开发出了性能优越品质可靠的碳化硅产品。产品的设计及验证均按照车规级标准执行，技术参数可对标国际一线公司的最新产品，满足高端领域的国产化替代需求。”
下一步，在研发方面，将持续加大研发投入，加快产品升级迭代，不断开发新型功率器件和模块，将重点布局车规级产品，致力于提供完整的应用系统整体解决方案，加快在新能源汽车领域的推广。
产业化方面，芯塔电子正在计划车规级碳化硅模块封装线建设。当前碳化硅基本采用传统硅基封装方案，需要新的layout布局、工艺技术和封装材料，才能充分发挥碳化硅器件优势。新建的模块封装线将紧密结合新能源汽车对新型SiC MOSFET模块的需求。
