2021年3月，英特尔(Intel)CEOPat Gelsinger宣布IDM 2.0战略的企图心之一，在於重返晶圆代工市场、挑战台积电与三星电子(Samsung Electronics)在先进制程领域的主导地位。英特尔明确表示，ASML新时代极紫外光(EUV)微影系统将是支撑英特尔在2025年达成全球晶圆代工要角的关键助力，尤其英特尔目前已有9+1座具有EUV量产能力的晶圆厂区正在装机与兴建中。
据Tom’s Hardware、SemiWiki报导，Intel 4将是英特尔首款导入EUV曝光程序的新制程，相较台积电与三星电子(Samsung Electronics)早在2019年先後导入7纳米EUV制程量产推进，英特尔直到2022下半年将优先应用在客户端产品Meteor Lake处理器的生产上，才真正进入EUV时代。
ASML新时代EUV系统EXE:5200系统，以每小时200片晶圆产能的高产出系统，再加上支持高分辨率曝光程序、大幅改善晶体管微缩目标，不仅成为ASML下时代专攻的曝光系统，也赢得英特尔大力奥援，成为英特尔晶圆代工服务(IFS)2025年下半导入新时代高数值孔径(high-NA)EUV扫描机。预计在单一曝光EUV制程上，可望比多重曝光EUV制程撙节更大幅度的光罩成本支出。
从2022年下半量产Intel 4、2023年下半投产Intel 3制程起，直到2024上下半年分别量产Intel 20A与18A先进制程，英特尔从4纳米、3纳米乃至於推进到2纳米时代，均将导入EUV制程节点，虽说在采用时间上晚於台积电、三星，但英特尔在全球正有9+1座具有EUV量产能力的晶圆厂区正在装机与兴建中。
其中，奥勒冈州Fab D1X晶圆厂phase 1、2、3目前领先英特尔所有EUV系统建置与早期投产；爱尔兰晶圆厂Fab 34系以EUV装机为目标，目前正紧锣密鼓兴建当中，且已经进入装机阶段。Fab 34预计将是英特尔全球首先量产Intel 4制程所在。至於以色列晶圆厂Fab 38目前也还在兴建当中，预计也将是4纳米EUV制程的率先量产晶圆厂。
至於Gelsinger先後在2021、2022年3月宣布扩产的亚利桑那州晶圆厂Fab 52与Fab 62，以及俄亥俄州新建晶圆厂Silicon Heartland，再加上英特尔最新在德国扩产所在的新建晶圆厂Silicon Junction，除了亚利桑那州扩产已经开工、俄亥俄州与德国扩产还在规划中，但3地晶圆厂兴建均以EUV量产能力为目标，至於已经导入量产的亚利桑那州Fab 42，虽说现阶段以非EUV制程的10纳米节点量产，但一开始设计阶段即已考虑未来导入EUV设备装机，成为英特尔EUV大军的一员。
责任编辑：张兴民
