韩媒:三星将推出200层以上NAND
来源:芯片大师 发布时间:2022-02-09 分享至微信
图:3D NAND
三星电子预计将在2022年第一季度开始量产第7代176层NAND,这比原计划推迟了一个季度,而美光科技已经开始量产176层NAND。
报道称,三星电子预计最迟会在2022年底或2023年上半年发布200层及以上堆叠的NAND芯片,并在2023年上半年开始量产。
用于连接单元的孔越少,芯片丢失的数据就越少。因此,单栈技术比双栈技术更先进。然而,100层被认为是单栈技术的技术极限。目前,三星电子是唯一一家可以使用单堆叠方式堆叠超过100层(128层)的芯片制造商。
全球第二大NAND闪存生产商SK海力士和美光科技一直在使用双栈技术堆叠72层或更多层。
业内人士预测,三星电子将加快200层NAND闪存的量产,以从美光手上夺回技术领先地位。与176层芯片相比,224层NAND闪存可以将数据传输速度再提高30%。
同时,另一家存储巨头SK海力士也在加快开发200层或更多层的超高密度NAND闪存,可能会在2023年上半年问世。而市场上应用于当前NAND闪存批量生产的最先进的堆叠技术为128层。
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