图：3D NAND

三星电子预计将在2022年第一季度开始量产第7代176层NAND，这比原计划推迟了一个季度，而美光科技已经开始量产176层NAND。 

报道称，三星电子预计最迟会在2022年底或2023年上半年发布200层及以上堆叠的NAND芯片，并在2023年上半年开始量产。

用于连接单元的孔越少，芯片丢失的数据就越少。因此，单栈技术比双栈技术更先进。然而，100层被认为是单栈技术的技术极限。目前，三星电子是唯一一家可以使用单堆叠方式堆叠超过100层（128层）的芯片制造商。

全球第二大NAND闪存生产商SK海力士和美光科技一直在使用双栈技术堆叠72层或更多层。

业内人士预测，三星电子将加快200层NAND闪存的量产，以从美光手上夺回技术领先地位。与176层芯片相比，224层NAND闪存可以将数据传输速度再提高30%。

同时，另一家存储巨头SK海力士也在加快开发200层或更多层的超高密度NAND闪存，可能会在2023年上半年问世。而市场上应用于当前NAND闪存批量生产的最先进的堆叠技术为128层。