美国IBM与三星电子(Samsung Electronics)近日在美国加州旧金山举行的IEDM会议首日，宣布在半导体设计方面的新突破，为在晶片上进行电晶体垂直堆叠的新设计，名为「垂直传输场效电晶体」(Vertical Transport Field Effect Transistors；VTFET)技术。不过，IBM与三星并没有透露何时会让这项技术导入商用。

根据Engadget报导，当前业界处理器以及SoC的设计，是将电晶体平放在矽表面上，之后电流会从一侧流向另一侧。与此相反，VTFET技术是将电晶体以垂直方式堆叠，因此电流也会以垂直方式通过，有别于目前矽晶片通常是水平方式放置电晶体技术。

IBM与三星表示，这项设计有2个优点，其一是可绕过许多效能限制，将摩尔定律(Moore's Law)延伸至IBM当前的奈米片(nanosheet)技术之外，但不一定只有延伸至1奈米晶片设计上；其二是有助提高功耗效率，因VTFET技术可提升电流。但IBM表示，VTFET技术仅能提供效能或电池效能其中之一的大幅提升，无法达到同时均明显提升效果。

IBM和三星预计，VTFET技术可让处理器运行速度较采FinFET技术电晶体的晶片快上1倍，或有助功耗降低85%，借此有助未来新款手机充饱一次电，续航力长达1周。VTFET技术也可支援某些耗能运算任务，如加密货币挖矿，有助提高挖矿能耗效率。