2011年全球NANDFlash中，全球三星电子(SamsungElectronics)仍是位居全球NANDFlash市场龙头，市占率高达36.2%，紧追在后的是东芝(Toshiba)，市占率达35.1%，两者合计掌握70%以上NANDFlash市场；根据市调机构TrendForce最新统计，2011年第1季NANDFlash品牌供应商的位元出货量为13%，营收成长9.9%，达53.63亿美元。

　　2011年第1季全球NANDFlash市场变化相当多，最大影响当属日本311东北强震，对后势NANDFlash市场和科技产业的供给面都造成多空复杂交错的影响，以及造成NANDFlash价格短线剧烈波动；再者，2010年12月东芝日本12寸晶圆厂跳电事件，也影响2011年第1季NANDFlash产出，还有3月初苹果(Apple)iPad2新产品问世后，市场一片好评。

　　在供给端方面，延续之前现象，传统的快闪记忆卡和优盘需求仍是相当疲弱，由智能型手机(SmartPhone)和平板计算机(Tablet)应用带动的内嵌式存储器订单仍是相当稳定，两者发展呈现两极化现象。

　　根据TrendForce统计，2011年第1季全球NANDFlash品牌供应商的位元出货量成长13%，营收规模达53.63亿美元，较上季成长9.9%。

　　以各家NANDFlash大厂2011年第1季排名来看，TrendForce统计，三星营收为19.41亿美元，以36.2%市占率稳坐龙头，东芝营收为18.83亿美元，市占率以35.1%排名第二之姿紧追在后，之后为美光(Micron)和海力士(Hynix)的缠斗，美光持续以市占率11.4%稳坐全球第3，营收为6.1亿美元，海力士营收则为5.74亿美元，市占率以10.7%排名第4，而英特尔(Intel)营收为3.55亿美元，市占率为6.6%。

　　三星在2011年第1季持续称霸NANDFlash市场，虽然传统记忆卡和优盘需求疲弱，但来自智能型手机和平板计算机等系统厂的订单却是加温，带动三星第1季的位元出货量成长20%，但平均售价下跌10%，但营收仍小幅受到韩元升值的影响；受惠OEM订单持续稳定，三星第2季位元出货量将可望成长约30%以上。

　　在制程技术上，三星在第2季持续提升27纳米制程比重，并将于下半年持续转进21纳米制程，预计可持续降低生产成本；在新产品方面，新的内嵌式存储器产品和固态硬盘(SSD)将是重点产品。

　　东芝2011年第1季的产出受到2010年12月跳电的影响而减少，主要也是靠智能型手机及平板计算机系统客户的OEM订单带动营运升温；在制程技术方面，东芝和合作伙伴新帝持续转进24纳米制程，且预计下半年进一步转进19纳米制程，在技术制程转换上非常积极。

　　再者，东芝和新帝在日本四日市兴建新12寸晶圆厂Fab5，预计下半年会贡献产能，届时东芝可提升系统客户的比重。

　　在美光方面，美光不但有OEM系统客户的订单，还有自家的快闪记忆卡零售通路品牌Lexar，加上2010年合并恒忆Numonyx带来嵌入式产品新客户，在产品消化应用管道上相当多元化。

　　整体来看，美光第1季的位元出货量成长约20%以上，但平均售价仍是减少，预计第2季位元产出量为10%，至于在价格方面，美光预期能微幅调涨。

　　美光日前也与英特尔合资兴建新12寸晶圆厂，也就是新加坡厂，美光在2010年底就独自启动新加坡新厂，当时英特尔还未决定是否跟进投资，不过，双方已于2011年4月宣布将共同投资，美光的持股比重略高，未来也可分得较多产能。

　　海力士2011年第1季的位元出货量增加约15%，平均售价约是持平，单季营收为5.74亿美元，市占率为10.7%，智能型手机及平板计算机同样是营运成长来源，预估第2季的位元出货量将成长约30%以上，平均售价小幅下跌5%。

　　在制程技术上，海力士持续转进26纳米制程，下半年则是转进20纳米制程，目的也是强化成本结构和竞争力，同步也开发嵌入式产品及SSD新产品以提高系统产品客户的销售比重。

　　英特尔日前决定继续与美光投资新加坡12寸晶圆厂，为NANDFlash产业打了一剂强心针，英特尔目前产品线主要集中在固态硬盘上，产品线相当齐全；英特尔的25纳米制程领先问世，下半年也将转进20纳米制程，下半年新加坡新厂预计也可贡献产能。