电力电子装置CPU，布局IGBT符合国家战略需求。IGBT是由BJT和MOS组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件。具有驱动功率小、输入阻抗大、控制电路简单、通断速度快、工作频率高和开关损耗小等优点，被广泛应用在电动汽车、新能源装备、智能电网、轨道交通和航空航天等领域。IGBT是能源变换和传输的最核心器件，俗称电力电子装置的CPU，是目前最先进应用最广泛的第三代功率半导体器件。作为国家战略性新兴产业，IGBT在设计国家经济安全、国防安全等领域占据重要地位。

　　IGBT结构示意图及等效电路图

　　IGBT技术演进图

　　进口替代国是我国IGBT发展趋势。我国IGBT器件90%依赖进口，国产市场份额主要被欧美、日本企业垄断。中国IGBT企业在研发与制造工艺方面极度缺乏经验，与世界先进水平差距很大。同时IGBT都是关键设备上的核心部件，设备厂商更换国产产品风险很大，这也是制约国内企业产品进入高端市场的障碍。近年在政策支持和市场推动下，IGBT产业得到迅速发展，“十一五”和“十二五”期间，国家也组织实施了众多的IGBT研发和产业化项目，和28nm/16nm集成电路制造一样，IGBT也被列为国家“02专项”的重点扶持项目。目前国产化进程正在提速阶段，国内摆脱进口依赖的期望持续增强。

　　2014年国内IGBT市场份额

　　我国IGBT市场规模不断上升

　　新能源是汽车和充电桩是IGBT未来最大的增量市场。从成本上看，IGBT模块占新能源汽车控制器成本约50%，占电动汽车成本约10%，占充电桩成本约20%，预计未来5年新能源电动汽车和充电桩将带动IGBT模块快速增长。2014国内IGBT市场规模92.2亿元，占全球市场1/3左右，预计“十三五”期间复合增长率15%，到2020年国内市场规模将近186亿元。