晶圆代工厂联电1日宣布，其0.18微米双极-互补-扩散金氧半导体BipolarCMOSDMOS(BCD)制程技术平台，已通过业界最严格的AEC-Q100Grade-0车用电子矽芯片验证。未来，对于联电加紧脚步介入汽车电自市场领域，将有重大的影响。

　　根据联电发出的新闻稿指出，0.18微米双极-互补-扩散金氧半导体BipolarCMOSDMOS(BCD)制程技术平台，包含符合车用标准的FDK及矽智财解决方案，可用于车用电子之应用芯片如电源管理芯片进行量产。成功通过车规验证之制程方案后，联华电子所制造的车用电子芯片即可满足用于高温环境下高可靠性车辆应用最严格的需求。这是继成功量产AEC-Q100Grade-1规格标准之产品后，再创另一技术发展的新里程碑。

　　联电企业行销资深副总简山杰表示，车用电子的矽芯片含量，随着包括先进驾驶辅助系统(ADAS)、资讯娱乐系统及导航系统等电子元件持续演进而急遽攀升。大众近来对于排放减量与能源效率有更高的期待，进而推升更先进的电源电子科技与元件的需求。

　　因此，此类科技与元件需要更严格的AEC-Q100Grade-0制造标准，才能符合高温、零缺失的需求。联华电子以其0.18微米BCD制程，成为少数符​​合AEC-Q100Grade1&0半导体产品规范的晶圆厂。

　　联电已成功挤身为车用芯片供应商之列，并为第一家通过ISO22301营运持续管理认证的晶圆厂，同时实施全面性的「车用服务计画」，将零缺陷做法导入制程协助客户满足车用芯片的品质需求。未来，盼望能协助更多晶圆厂客户进入蓬勃发展的车用芯片市场。

　　此外，联电也将提供全面的Grade-0矽智财，包括已经过车用芯片产品中矽晶验证的标准元件库、SRAM、OTP/MTP/eFuse。这些由联华电子制造的芯片已获日本、欧洲、亚洲、美国等地的全球知名车厂广泛采用。