据台媒报道，业内人士透露，目前台积电FinFET和三星GAA在3nm工艺的开发过程中都遇到了瓶颈。因此二者3nm制程工艺的开发进度都将放缓。

此前，按台积电公布的计划，3nm将于今年完成认证与试产，2022年投入大规模量产，甚至业界有传闻称苹果已率先包下台积电3nm初期产能，成为台积电3nm的第一批客户。

此前业界预计台积电和三星的3nm工艺都会在2022年实现量产，而台积电有望领先三星至少半年。

此前台积电曾宣称，其3nm工艺会比目前最新的5nm工艺性能提升10%-15%，功耗将降低20%-25%。

台积电2020年营收持续创新高，台积电董事长刘德音此前曾表示，为提前布局3nm，台积电已累计投资超过2万亿元新台币，目标是3nm量产时，12 英寸晶圆月产能超过60万片。而为了争夺市场，三星晶圆代工业务准备投入1160亿美元，以实现在3nm工艺上赶超台积电。

虽然三星和台积电都在研发3nm工艺，但两者采用的技术并不相同，台积电采用了成熟的鳍式场效应晶体管技术(FinFET)，而三星则采用了环绕栅极晶体管技术(GAA)。