第三代半导体以碳化硅以及氮化镓为代表，则可应用在更高阶的高压功率元件以及高频通讯元件领域。主要应用：高温、高频、抗辐射、大功率器件；蓝、绿、紫光二极管、半导体激光器 更优的电子迁移率、带隙、击穿电压、高频、高温特性。

碳化硅以及氮化镓虽然同为第三代半导体材料，但应用略有不同，氮化镓主要用在中压领域约600伏特的产品，一部分会与硅材料的市场重叠，但氮化镓有很好的移动性，适用在频率高的产品，此特性在基地台、5G等高速产品就会很有优势；
 

而碳化硅则可以用在更高压，如上千伏的产品，包括电动车用、高铁或工业用途，具有很好的耐高温以及高压特性。
 

也因如此，以碳化硅晶圆为例，市场更看好其在车用市场的应用，包括充电桩、新能源车以及马达驱动等领域。

目前SiC晶片（包括照明用SiC）市场主要由美、欧、日主导，其中Cree在2018年占比超过62%，加上II-VI、Si-Crystal后市场份额达到90%，所以目前，美、欧、日厂商在全球碳化硅产业中较为领先，其中美国厂商占据主导地位。并非说国内弯道超车，人家也玩得很好。

在制程上，大部分设备不传统硅生产线相同，但由亍碳化硅具有硬度高等特性，需要一些特殊的生产设备，如高温离子注入机、碳膜溅射仪、量产型高温退火炉等，其中是否具备高温离子注入机是衡量碳化硅生产线的一个重要标准。SiC器件价值链可分为衬底——外延——晶囿——器件，其中衬底所占的成本最高为50%。主要原因单晶生长缓慢丏品质丌够稳定，并且这也使得是SiC价格高，没有得到广泛的推广。半导电型SiC衬底以n型衬底为主，主要用亍外延GaN基LED等光电子器件、SiC基电力电子器件等，半绝缘型SiC衬底主要用亍外延制造GaN高功率射频器件。

所以在寻找相关设备厂商的时候，应该多关注具备衬底生产能力以及具有高位离子注入机的企业。因为生产一片碳化硅晶圆并不难，困难的是要怎么从一片到一百片、一千片的量产能力。
 

据市调机构Yole Developpement表示，碳化硅晶圆到2023年时市场规模可达15亿美金，年复合成长率逾31%；而用在通讯元件领域，到2023年市场也可达13亿美金，年复合成长率则可达23%，商机受瞩。燃油车转向电劢车，功率半导体用量剧增。汽车应用是功率半导体市场增长最快的细分斱向。除此之外，充电站、充电桩需求也将提升。欧盟CO2排放标准、中国新基建将给新能源市场中的光伏、风力带来新的增量。

单晶衬底方面，国内衬底以4英寸为主，目前，已经开发出了6英寸导电性SiC衬底和高纯半绝缘SiC衬底。据CASA数据，山东天岳、天科合达、河北同光、中科节能均已完成6英寸衬底的研发，中电科装备研制出6英寸半绝缘衬底。器件/模块/IDM方面，我国在碳化硅器件设计方面有所欠缺，还没有厂商涉及于此。但是在模块、器件制造环节我国已出现了一批优秀的企业，包括三安集成、海威华芯、泰科天润、中车时代、世纪金光、芯光润泽、深圳基本、国扬电子、士兰微、扬杰科技、瞻芯电子、天津中环、江苏华功、大连芯冠、聚力成半导体等。其中三安集成 2018年12月，三安光电子公司厦门三安集成电路宣布推出6英寸SiC晶圆代工制程。商业版本的6英寸SiC晶圆制造技术的全部工艺鉴定试验已完成并加入到三安集成电路的代工服务组合中。所以第三代半导体当中，三安光电可谓是领导型厂商。

碳化硅半导体产业链主要包括高纯粉料、单晶衬底、外延片、功率器件、模块封 装和终端应用等环节。
 

北京天科合达半导体股份有限公司于2006年9月由新疆天富集团、中国科学院物理研究所共同设立，是一家专业从事第三代半导体碳化硅（SiC）晶片研发、生产和销售的高新技术企业。公司为全球SiC晶片的主要生产商之一。
 

总部公司设在北京市大兴区生物医药基地，拥有一个研发中心和一个集晶体生长-晶体加工-晶片加工-清洗检测的全套碳化硅晶片生产基地；全资子公司—新疆天科合达蓝光半导体有限公司位于新疆石河子市，主要进行碳化硅晶体生长。
 

山东天岳公司成立于2010年11月，是以碳化硅半导体衬底材料为主的高新技术企业。公司投资建成了第三代半导体材料产业化基地，具备研发、生产国际先进水平的半导体衬底材料的软硬件条件，是我国第三代半导体衬底材料行业的先进企业。
 

河北同光晶体有限公司成立于2012年，位于保定市高新技术开发区，主要从事第三代半导体材料碳化硅衬底的研发和生产。公司主要产品包括4英寸和6英寸导电型、半绝缘碳化硅衬底，其中4英寸衬底已达到世界先进水平。目前，公司已建成完整的碳化硅衬底生产线，是国内著名的碳化硅衬底生产企业。
 

中科集团二所成立于1962年，是专业从事电子先进制造技术研究和电子专用设备研发制造的国家级研究所。目前，二所已形成以液晶显示器件生产设备、半导体及集成电路制造设备、特种工艺设备为主的电子专用设备和以太阳能多晶硅片、三代半导体SiC单晶抛光片为主的半导体材料两大业务方向，能够为用户提供工艺和设备的系统集成服务。
 

天域成立于2009年，是中国第一家从事碳化硅 (SiC) 外延晶片市场营销、研发和制造的私营企业。2010年，天域与中国科学院半导体研究所合作，共同创建了碳化硅研究所。
 

瀚天天成电子科技（厦门）有限公司成立于2011年3月，是一家集研发、生产、销售碳化硅外延晶片的中美合资高新技术企业，已形成3英寸、4英寸以及6英寸的完整碳化硅半导体外延晶片生产线，并满足600V、1200V、1700V器件制作的需求。
 

泰科天润是中国第三代半导体碳化硅功率器件产业化倡导者，并拥有目前国内唯一碳化硅器件生产线。作为国内唯一一家碳化硅研发生产和平台服务型公司，泰科天润核心产品以碳化硅肖特基二极管为代表，其中600V/5A～50A，1200V/5A～50A和1700V/10A等系列的碳化硅肖特基二极管产品已经投入批量生产。
 

嘉兴斯达半导体股份有限公司成立于2005年4月，是一家专业从事功率半导体芯片和模块尤其是IGBT芯片和模块研发、生产和销售服务的国家级高新技术企业。总部位于浙江嘉兴，在上海和欧洲均设有子公司，并在国内和欧洲设有研发中心，是目前国内IGBT领域的领军企业。公司主要产品为功率半导体元器件，包括IGBT、MOSFET、IPM、FRD、SiC等等。
 

株洲中车时代电气股份有限公司是中国中车旗下股份制企业，其前身及母公司——中车株洲电力机车研究所有限公司创立于1959年。
 

2017年12月，中车时代电气总投资3.5亿元人民币的6英寸碳化硅产业基地技术调试成功，2018年1月首批芯片试制成功。这是国内首条6英寸碳化硅生产线，获得了国家“02专项 ”、国家发改委新材料专项等国家重点项目支持，是中车时代电气的重点投资项目之一，实现碳化硅二极管和MOSFET芯片工艺流程整合，成功试制1200V碳化硅肖特基二极管功率芯片。
 

扬州扬杰电子科技股份有限公司成立于2006年8月2日。2014年1月，公司在深交所创业板挂牌上市。公司集研发、生产、销售于一体，专业致力于功率半导体芯片及器件制造、集成电路封装测试等领域的产业发展。

公司主营产品为各类电力电子器件芯片、功率二极管、整流桥、大功率模块、DFN/QFN产品、SGT MOS及碳化硅SBD、碳化硅JBS等，产品广泛应用于消费类电子、安防、工控、汽车电子、新能源等诸多领域。