基于摩尔定律即将走到极限，各家半导体业者正寻求第三代半导体开发。所谓第三代半导体系指材料以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)及硒化锌等宽频半导体为主，有别于第一代的硅(Si)、第二代的砷化镓(GaAs)之半导体材料。
根据市场研究机构预测，2027年，全球GaN半导体器件市场规模预计将达到58.5亿美元（折合人民币约408亿元），从2020年到2027年，复合年增长率为19.8%。市场增长原因，因氮化镓(GaN)技术进步及在各种半导体器件产品应用呈现增长态势，例如：5G无线通信设备的需求(主要在国防通信领域、E类，F类和C类功率放大器)推动需求的成长。
在航空航天和国防技术公司方面，例如LHX.US、NOC.US、BAESY.US正在与政府机构合作，将氮化镓半导体用于军事电子战(EW)系统和AESA雷达应用。2012年2月，NOC.US公司设立了先进技术实验室，以开发用于关键军事项目的氮化镓半导体。该公司与美国政府已投资超过3亿美元，用于在军事系统中开发和集成GaN半导体，以增强太空，飞机和地面防御通信系统的功能。
一些公司动态，如恩智浦(NXPI.US)宣布在美国建厂所要生产5G用芯片，材料也是氮化镓;Transphorm公司(硅芯片上氮化镓功率器件的初创公司)宣布已完成一笔3500万美元的E轮融资。本轮融资由日本创新网络公司(INCJ)和日本国际电子公司(NIEC)领导。
还有，电动车辆的车载充电站和EV充电桩的供应设备中对GaN半导体装置的需求已经增加。例如，在2019年10月，名古屋大学发布了一款完全使用氮化镓半导体装置的电动汽车All GaNVehicle。与目前使用SiC开发的电动汽车相比，该汽车的效率提高了20%。由于这些芯片在车载资通讯娱乐主机(IHU)和高级驾驶员辅助系统(ADAS)等汽车应用中的使用量不断增加，因此预计8英寸芯片市场将受到高度关注。
由于，对高效和高性能射频零组件的需求不断增长，以及中国、日本和韩国等国家的电动汽车产量激增，亚太地区有望成为GaN增长最快的地区市场。例如，中国『十四五规划』投入10兆人民币抢占第三代半导体自主。
GaN半导体装置零组件，包括：晶体管、二极管、整流器、电源IC及其他。
目前，氮化镓(GaN)半导体装置市场主要参与者：
· Cree(CREE.US)
· Efficient Power Conversion Corporation
· 富士通有限公司
· GaN Systems
· 英飞凌科技股份公司
· NexGen电力系统(NXE.US)
· 恩智浦半导体
· Qorvo, Inc.(QRVO.US)
· 德州仪器公司(TXN.US)
· 东芝公司
从一些地区来看，日本也由政府集结上中下游产业合作发展GaN，5年内拨款90兆日圆资助研发氮化镓在半导体方面应用的大学、企业，目标2020年代后半全面量产。虽然，碳化硅发展比氮化镓更成熟，但日本是全球第一个研发氮化镓的国家，而且发展为成熟的材料自然有更多未来性，都可能是日本经产省决定押宝氮化镓的原因。物理学界曾有研究指出，若所有半导体都改用氮化镓为材料，目前所有电子产品耗电能减少10至25%。
中国计划正在制订的『十四五规划』(2021-2025年期间)将纳入第三代半导体产业发展，从教育、科研、开发、融资、应用等等各个方面，大力支持发展第三代半导体产业，以期实现半导体产业独立自主。但目前尚不知是否集中发展GaN半导体。
欧盟也将上中下游产业聚集合作，抢攻第三代半导体产业发展。
