值得注意的是，聚灿光电今日涨停也是该股自9月15日见顶以后，时隔近一个半月后再次录得涨停。此外，在前期炒作中表现比较突出的干照光电、台基股份、露笑科技等，今日也均有不错表现。

 

从三季报看，半导体业绩维持高增速，行业景气度在延续。在经过几个月的深幅调整后，半导体板块调整充分，上半年过度上涨带来的高估值压力，也得到了一定程度的消化。有市场人士分析，今日第三代半导体表现突出，主要是本次十四五规划发布之前，半导体板块并没有像新能源板块那样被提前炒作，股价经过了明显的调整，调整时间基本都在一个半月之上。因此，周五在大盘大跌时反而异军突起，兆易创新等领涨股两天累计涨幅已近20%，在此背景下第三代半导体今日顺势爆发，这表明目前有资金在做高低切换。

 

 

从今日第三代半导体板块内涨幅居前的个股中不难看出，例如聚灿光电、干照光电、华灿光电等均为LED概念股。第三代半导体成为今日市场热点，为什么叠加LED概念的股涨幅靠前，两者之间有何联系？

 

事实上，第三代半导体是指以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）为代表的宽禁带半导体材料。其中，氮化镓材料广泛应用于光电子器件，LED照明是典型的应用领域。干照光电于今年2月在互动易披露，公司与深圳第三代半导体研究院的合作是全方位多层次的深度合作，在该平台上研发的技术包括但不仅限于氮化镓和Micro-LED。

 

对此，有机构人士表示，机构看好Mini LED加速爆发机遇。高工LED预测，我国Mini LED应用市场规模在2018年仅3亿元，2020年预计达到22亿元。

 

 

第三代半导体的火爆，主要是受到两方面因素的共同催化，一方面，受国家政策面影响，中国将大力支持发展第三代半导体产业写入“十四五”规划之中；另一方面，当前国内的人工智能、5G等产业的技术和应用发展向好，支撑了板块内相关细分行业的业绩。

 

在我国发力“新基建”的背景下，第三代半导体材料成了非常重要的技术支撑。今年4月，国家发改委首次官宣“新基建”的范围，正式定调了5G基建、人工智能、工业互联网等七大领域的发展方向。而以氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)为首的第三代半导体是支持“新基建”的核心材料。比如，以氮化镓(GaN)为核心的射频半导体，支撑着5G基站及工业互联网系统的建设；以碳化硅(SiC) 以及IGBT为核心的功率半导体，支撑着新能源汽车、充电桩、基站/数据中心电源、特高压以及轨道交通系统的建设。

 

根据Omdia的《2020年SiC和GaN功率半导体报告》显示，2018年，全球碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)功率半导体的销售收入为5.71亿美元，预计到2020年底增至8.54亿美元。未来十年将保持年均两位数增长率，到2029年将超过50亿美元。根据Yole数据，到2024年SiC功率半导体市场规模将增长至20亿美元，其中，汽车市场占SiC功率半导体市场比重到2024年预计将达50%。

 

 

在业内人士看来，第三代半导体更重要的意义是在功率器件领域，通过其特殊的材料特性，改进相关芯片及器件性能。

 

相较于第一代（硅、锗为代表）、第二代（砷化镓、磷化铟为代表）半导体材料，第三代半导体材料具有高热导率、高击穿场强、高饱和电子漂移速率和高键合能等优点，具有应用于光电器件、微波射频器件、电力电子器件等的先天性能优势，在新能源汽车、智能电网、量子计算机、移动通信设备和基站、光伏等应用领域具有广阔应用前景。

 

随着第三代半导体应用需求攀升，国际巨头近年来也通过并购以及扩产来巩固自身优势。据CASA Research不完全统计，2019年国际半导体领域共有包括英飞凌、罗姆、意法半导体等企业通过并购推进其在第三代半导体领域的布局，材料、器件及模组标的均有涉及，整体涉及金额超过100亿美元。

 

方正证券研报表示，第三代半导体国内外差距没有一、二代半导体明显。先发优势是半导体行业的特点，Cree高市占率也印证了先发优势的重要性。相较于Si，国产厂商对SiC研究起步时间与国外厂商相差不多，因此国产厂商有希望追上国外厂商，完成国产替代。

 

国信证券研报中也表示第三代半导体是中国大陆半导体的希望，并解释了原因：

 

第一，第三代半导体相比较第一代第二代半导体处于发展初期，国内和国际巨头基本处于同一起跑线。

 

第二，中国有第三代半导体的应用市场，我们可以根据市场定义产品，而不是像以前跟着国际巨头做国产化替代。

 

第三，第三代半导体难点不在设备、不在逻辑电路设计，而在于工艺，工艺开发具有偶然性，相比较逻辑芯片难度降低。

 

第四，对设备要求相对较低，投资额小，国内可以有很多玩家。在资本的推动下，可以全国遍地开花，最终走出来几家第三代半导体公司的概率很大。