新洁能（605111）：
无锡新洁能是国内功率半导体芯片及器件设计龙头。主营为功率半导体芯片和器件的研发、设计及销售。公司深耕半导体功率器件行业，是国内最早专门从事MOSFET、IGBT研发设计的企业之一，具备独立的芯片设计能力和自主工艺流程设计平台。
新洁能具备完善的MOSFET产品矩阵，技术实力和销售规模处于国内领先地位。公司基于全球半导体功率器件先进理论技术开发领先产品，是国内率先掌握超结理论技术，并量产屏蔽栅功率MOSFET及超结功MOSFET的企业之一；也是国内最早同时拥有沟槽型功率MOSFET、超结功率MOSFET、屏蔽栅功率MOSFET及IGBT四大产品平台的本土企业之一。公司目前已成长为国内8英寸先进工艺平台芯片投片量最大的半导体功率器件设计公司之一、是国内唯一一家完全基于8英寸芯片工艺平台开发设计MOSFET和IGBT产品的功率半导体设计类龙头企业。于2016-2019连续4年名列中国半导体功率器件十强企业。
根据IHS数据，2016、2017、2018年，公司MOSFET占国内市场份额分别为2.88%、2.83%、3.65%，市场份额逐步提升，是除英飞凌（Infineon）、安森美（ONSemiconductor）、瑞萨电子（RenesasElectronics）等 9 家外资品牌外，国内排名前茅的MOSFET研发设计及销售本土企业。
公司产品按照是否封装可以分为芯片和功率器件两类。公司主要负责设计方案，制造和封装委托外部企业完成。公司是国内8英寸先进工艺平台芯片投片量最大的功率器件设计公司之一。目前公司初步完成先进封装测试产线的建设，具有小批量封装能力。
公司产品种类齐全，下游应用领域覆盖广阔。目前主要产品包括12V~200V沟槽型功率 MOSFET、30V~300V屏蔽栅功率MOSFET、500V~900V超结功率MOSFET和600V~1350V 沟槽栅场截止型IGBT，下游应用领域覆盖消费电子、汽车电子、工业电子以及新能源汽车/充电桩、智能装备制造、物联网、光伏新能源等领域。
新技术领域，公司目前已拥有"高浪涌电流能力碳化硅二极管""一种高耐压的碳化硅肖特基二极管"等多项相关专利，并积极推进"SiC 肖特基二极管工艺技术"、"氮化镓功率 HEMT 工艺"等研发项目。
高管与科研团队：
核心管理和科研团队均具有多年的功率半导体研发、管理从业经验，多人曾有国内半导体领先企业的相关工作经历，起点高、实力强，为公司成立以来的快速成长打下扎实基础。
控股股东、实际控制人朱袁正先生直接持有公司23.34%股权（同时朱袁正分别与叶鹏、王成宏等共计10名股东签订有关一致行动的协议）。朱袁正先生亦是公司技术创新领军人物，在半导体行业内拥有超过30年的研究和工作经历，是国内MOSFET 等半导体功率器件领域研究及产业化的亲历者和先行者。以其为领军人物的公司研发团队，是国内最早一批专注于 8 英寸晶圆片工艺平台对 MOSFET、IGBT 等先进的半导体功率器件进行技术研发和产品设计的先行者之一，在该领域具有雄厚的技术实力和丰富的研发经验。
截至2020年1月19日，公司拥有97项专利，其中发明专利35项、实用新型59项，外观设计3项。
客户情况：
公司通过较强的产品技术、丰富的产品种类、优良的产品质量已为多个下游细分领域龙头客户供货。功率器件行业上下游产业链之间具有高度的黏性，下游应用行业对产品质量和供应商的选定有严格的要求，一旦对选用的功率器件产品经过测试、认证并规模化使用之后将不会轻易更换。随着公司品牌知名度提高，未来有望在国产替代的大趋势下实现高速成长。
财报业绩：
2019公司营收7.73亿元，同比增长7.9%。2020 H1实现营业收入3.84亿元，同比增长17.0%。2019年公司受中美贸易摩擦、功率半导体行业竞争加剧以及8英寸晶圆代工成本上涨等因素影响，销售毛利率及净利率有所下滑，实现净利润9821万元，同比下降30.6%。2020 H1，公司利润率有所回升，实现净利润5534万元，同比上升47.8%，业绩反弹增长。
公司功率器件和芯片的营收占比分别为76%和24%，功率器件占营收比例呈逐年上升趋势。随着公司功率器件细分型号不断丰富、品牌知名度不断提升、资金实力不断增强，公司主动提升MOSFET器件的销售占比以赚取更多利润。
行业趋势：
分立器件行业是半导体产业的重要分支，亦是电力电子产品的基础之一。主要用于电力电子设备的整流、稳压、开关、混频等，具有应用范围广、用量大等特点，在消费电子、汽车电子、电子仪器仪表、工业及自动控制、计算机及周边设备、网络通讯等众多国民经济领域均有广泛的应用。
IHSMarkit数据显示，2018全球功率器件市场规模约为391亿美元，预计至2021年市场规模将增长至441亿美元，CAGR为4.1%，其中MOSFET和IGBT有望成为未来5年增长最强劲的功率器件。
功率器件已历经数代发展。2008年，英飞凌（Infineon）率先推出屏蔽栅功率MOSFET，半导体功率器件的性能进一步提升。
国内市场而言，功率二极管、功率三极管、晶闸管等分立器件产品大部分已实现国产化，而 MOSFET、IGBT等分立器件产品由于其技术及工艺的先进性，还较大程度上依赖进口，未来进口替代空间巨大。
目前国内功率半导体产业链正在日趋完善，技术也正在取得突破。同时，中国也是全球最大的功率半导体消费国，2018年市场需求规模达到138亿美元，增速为9.5%，占全球需求比例高达35%。预计未来中国功率半导体将继续保持较高速度增长，2021年市场规模有望达到159亿美元，年化增速达4.8%。
从技术实现和战略需求两个角度看，功率器件厂商有望加速实现国产化替代，行业前景长期向好。
1、战略需求端，功率器件属于关键核心零部件。参照"制造2025"技术路线图，先进轨道交通装备、节能与新能源汽车、电力装备、高档数控机床和机器人等已列为突破发展的十大重点领域。功率半导体在以上重点领域皆具有关键性作用，亟需自主可控，战略地位突出。
2、从技术角度，相较于IC，功率器件更偏向于成熟、标准化产品，而并非依赖和追求先进制程，其产品竞争力主要由工艺和产线的水平决定。随着国内半导体分立器件厂商逐步参与到国际市场的供应体系，以及下游行业大力创新对上游分立器件行业的驱动，我国半导体分立器件行业已获得长足发展，并逐步形成对国外产品的替代。
整体来说，公司MOSFET产品矩阵完善，技术实力领先，是国内少数几家能够研发设计并量产先进的屏蔽栅MOSFET和超级结MOSFET的厂家之一。公司专注研发，利用募投项目进行"超低能耗高可靠性半导体功率器件研发升级及产业化"及第三代半导体功率器件项目建设，为公司产品高端化和长期发展奠定基础。公司创立初期采用 Fabless 模式运营，将有限资源投入到研发中，取得快速成长。现阶段公司开始自建封测产线，加强对功率半导体核心封测环节的控制，有利于与设计环节形成协同优化，并为公司长期发展提供保障。
