台积电2纳米获得重大突破！

近日，据台媒报道，台积电在2nm方面取得重大突破，已成功找到路径，将切入GAA (环绕式栅极)技术，为台积电发展鳍式场效电晶体（FinFET）取得全球绝对领先地位之后，迈向另一全新的技术节点。

这是台积电继去年9月正式对外宣告投入2纳米技术研发之后，在2纳米技术的重大进展，凸显台积电强大的研发实力，台积电还为此举办了庆功宴，感谢工程师们的全心投入。

可以说，台积电研发大军一刻也没有松懈。事实上，来自对手三星的压力是很明显的。报道称，三星此前已决定在3nm率先导入GAA技术，扬言2030年就超过台积电，夺取全球逻辑芯片的代工龙头地位。

然而，这次台积电又突破了——其预计明年上半年在南科18厂P4厂试产，2022年实现量产。业界以此推断，台积电2nm推出时间将在2023年到2024年间，这是让三星都没能预估到的速度……

预计台积电最快会在下月举行的技术论坛，宣告这项重大的技术成果。台积电并未对此评论。

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