大功率LED晶片封装方式

    一. 加大尺寸法：通过增大单颗LED的有效发光面积，和增大尺寸后促使流经TCL层的电流均匀分布而特殊设电路电极结构
（一般为梳状电极）之改变以求达到预期光通量，但简单的增大发光面积无法解决根本的散热和出光问题。

1.在外延片顶部的P型GaNiMg沉积厚度大于500埃的NiAu层，用于欧姆接触和背反射，2.采用掩模选择刻烛掉P型层和多量子阱有源层露出的N型层3.沉积刻烛形成N型欧姆接触层，芯片尺寸1X1mm，P型欧姆接触为正方形，N欧姆接触以梳状插入其中，这样缩短衬底电阻减小。4.将金属化的凸点的AlGaInN芯片倒装焊接在具有ESD的硅载体

既是制备出适合共晶焊接电极结构的大出光面积和相应的陶瓷底板

既是按照传统的ZnGaN芯片制造方法在蓝宝石衬底生长出PN结后蓝宝石衬底切除再连接传统四元材料，制造出上下电极结构的大尺寸蓝光LED芯片

    成型后的大功率蓝色芯片封装基础结构一般是连接芯片端采用铜基式银基热沉积再将该热沉连接在铝基散热器上采用阶梯型导热结构，利用铜基式银基热沉的高导热率将芯片产生热量高效传递到铝基散热器，再铝基散热器散出，一般用于银胶，但银胶的热阻高，且TG点低，所以现在用锡 。