台积电7纳米明年下半年大量产出

台积电推进先进制程马不停蹄，7纳米将接续10纳米于明年下半年大量产出，抢得技术领先之优势。合作伙伴IP厂商新思科技宣布成功完成台积公司7纳米FinFET制程IP组合的投片。

新思科技昨日宣布针对台积电公司7纳米制程技术，已成功完成DesignWare基础及介面PHY IP组合的投片，其中包括逻辑库、嵌入式存储器、嵌入式测试及修复、USB 3.1/2.0、USB-C 3.1/DisplayPort 1.4、DDR4/3、MIPI D-PHY、PCI Express 4.0/3.1、乙太网络及SATA 6G。

其他DesignWare IP，包括LPDDR4x、HBM2 和MIPI M-PHY，预计于2017年完成投片。

与16FF+制程相比，台积电公司7纳米制程能让设计人员降低功耗达60%或提升35%的效能。藉由提供针对台积公司最新7纳米制程的IP组合，新思科技协助设计人员达到行动、车用及高效能运算应用在功耗及效能上的要求。

上市时程方面，用于台积电公司7纳米制程的DesignWare基础及介面IP组合已经上市；STAR存储器系统解决方案已可用于所有台积公司制程技术。

本月11日，Xilinx(赛灵思)、ARM(安谋国际)、Cadence Design Systems、以及台积电共同宣布，联手打造全球首款加速器专属快取互连一致性测试芯片(Cache Coherent Interconnect for Accelerators, CCIX)，采用台积公司的7纳米FiNFET制程技术，将于2018年正式量产。

该测试芯片旨在提供概念验证的硅芯片，展现CCIX的各项功能，证明多核心高效能Arm CPU能透过互连架构和芯片外的FPGA加速器同步运作。

此测试芯片预计于2018年第1季初投片，量产芯片预订于2018下半年开始出货。