英诺赛科邹艳波：GaN快充技术趋势及进展

大功率、高密度、多接口已经成为快充电源市场的发展趋势，5G手机快速发展中，5G手机耗电量增大，串联双电芯设计，电荷泵的应用等，促使快充技术迅速发展，快充充电功率越来越大。

 

近日，2021功率半导体与车用LED技术创新应用论坛在上海举行。本届论坛由半导体产业网和励展博览集团共同主办，并得到第三代半导体产业技术创新战略联盟、国家半导体照明工程研发及产业联盟的指导。

会上，英诺赛科科技有限公司高级产品应用经理邹艳波带来了“GaN快充技术趋势及进展”的主题报告，详细分享了GaN快充发展趋势以及英诺赛科GaN市场进展。

 

报告指出，功率密度提升促进便携性，高频化推动快充的小型化，GaN技术不断迭代助力快充高频高效。

 

平面变压器应用成为趋势，具有高频一致性好、便于高功率密度快充生产加工、便于减小漏感等特点。

 

快充模组化方面，未来快充朝着高度集成化发展，变成材料层面的集成，电源的制造和形态朝着芯片化发展；电路与磁材融合集成形成电磁结合，模块采用含磁粉的材料塑封，具备更好的散热特性和EMC特性；工作频率100倍提高，集成度更高。

 

英诺赛科作为国产硅基氮化镓厂商，有2个8英寸硅基氮化镓芯片研发生产基地，30V-650V 产品全面覆盖。高压出货量达600W颗，推出全球首款标配 120W GaN 快充。33W快充迅速上量，30W GaN快充或将成为苹果入局氮化镓快充的首款作品。