三星3nm工艺芯片首秀！电压仅需0.23V，或许能赶超台积电

最近的IEEEISSCC国际固态电路大会上，三星首次展示了采用3nm工艺制造的256Mb(32MB)容量SRAM存储芯片。三星3nm芯片采用了GAAFET全环绕栅极晶体管工艺技术，电压只需要0.23V即可，相比目前FinFET工艺要先进很多。

台积电目前也在规划3nm工艺，预计会在2022年投产，但台积电并没有采用三星采用的GAAFET全环绕栅极晶体管工艺，依旧延续上代的FinFET晶体管。

GAAFET工艺要比FinFET复杂非常多，但是一旦驾驭住它，出来的芯片表现会很出色。从一些数据显示，GAAFET工艺与上一代7LPPFinFET工艺相比，晶体管密度增加最多80％，性能提升最多30％，或者功耗降低最多50％。

台积电和三星都是半导体行业巨头，不过三星依旧抵不过台积电。无论是规模上还是技术上都是台积电对手，虽说全球仅有三星和台积电掌握了5nm芯片生产技术，但台积电5nm工艺还是要比三星更加成熟一点，良品率也高。

或许这次GAAFET全环绕栅极晶体管工艺就是三星反超台积电的一个拐点，但这的前提就是三星能够成熟掌握住这个工艺。如果三星方面不能够完全成熟掌握GAAFET工艺，芯片可能与台积电的FinFET工艺出的芯片还是要有差距。

从公布的一些资料来看，三星上年在半导体投入超过32.9万亿韩元，研发投入占全年收入比例每年都在增长。

台积电和三星两家半导体行业巨头势必要有一场大竞争，具体谁胜谁负就要看三星这个工艺掌握如何了，但总体对消费者来说都是好事。一旦三星这边工艺掌握成熟，大批订单都会涌来，或许也能够抢的一些台积电的客户！