【NAURA Power GO】日新奋进，北方华创助力硅基GaN器件发展

面向硅基GaN器件中多种材料的刻蚀工艺需求，北方华创推出的GSEC200型刻蚀设备，通过不同的射频功率与工艺优化，可满足多种不同刻蚀深度与刻蚀速率要求。针对硅基GaN器件制造中关键的低速、低损伤刻蚀工艺，我们开发了高精度、低功率的射频电源与匹配技术，实现了低等离子体能量的精准控制，有效降低了刻蚀损伤，满足了硅基GaN器件的量产要求。同时，北方华创开发的原子层刻蚀技术，具有均匀性好、表面粗糙度小等一系列优势。

 

为了更好地满足客户对于硅基GaN领域厚铝刻蚀的要求，北方华创NMC508M刻蚀机采用具有独特技术优势的自主射频系统，可实现更高的铝刻蚀速率，有效提升产能。同时针对GaN器件对刻蚀均匀性要求更高的TiN刻蚀工艺，可通过等离子密度分布的内外区调节加以实现。在缺陷控制方面，NMC508M采用了低颗粒/缺陷控制技术，有效控制了缺陷水平。此外，NMC508M还配置了去胶腔，可针对客户需求进行反应副产物和残留物去除，有效防止铝线腐蚀等问题，同时去胶速率达到先进水平。

 

随着GaN产业的不断发展，客户对产能及机台利用率等方面要求越来越高，北方华创通过机台结构创新，开发了eVictorGX20系列通用磁控溅射系统。该系统为双传输平台结构，共可配置10个工艺模块。在高温Al溅射工艺中，该系统可通过结构及调度优化，使产能大幅提升，并通过工艺优化，提升靶材利用率及沉积速率。eVictorGX20系列设备兼容性强，可为客户提供高产能、高设备利用率的薄膜沉积设备。