长鑫科技冲刺IPO，大幅扩产背后设备限制仍存

长鑫科技首次公开募股（IPO）拟募资295亿元。其中，DRAM存储器技术升级项目总投资180亿元，拟使用募集资金130亿元；前瞻技术研发项目投资90亿元；存储器晶圆制造量产线升级项目总投资75亿元，将全部使用募集资金。

在产能布局方面，长鑫科技的扩张步伐正在加快。据了解，该公司2025年的月产能预计达到约26万片晶圆。尽管IPO将带来充裕的资金支持，其2026年的产能扩充仍将按原计划推进，月产能目标设定为30万片。此外，原定于2028年新增的10万片产能，有望提前至2027年下半年投入生产。展望未来，随着北京、上海新厂以及合肥厂区的扩建工程陆续完成，长鑫科技的月产能规模预计在2029年至2030年间显著提升至80万片左右。受益于人工智能带来的存储器需求高速增长周期，长鑫科技的业绩预期十分亮眼。预计2026年上半年，其营业收入将达到1100亿至1200亿元，同比增长612.53%至677.31%；归属于母公司股东的净利润预计为500亿至570亿元，同比增幅高达2244.03%至2544.19%。

近年来，长鑫科技的市场份额增长迅速，已从早期的3%攀升至接近8%。据业界人士透露，在2025年底至2026年上半年期间，相关部门曾多次协调存储器供应问题，希望长鑫科技能够调配部分产能并稳定市场价格，从而缓解国产品牌厂商和存储器模组厂的断供压力。不过，由于长鑫科技正处于IPO筹备的关键阶段，其产品定价最终仍由市场供需关系决定。这一市场化定价策略带动其在2026年第一季度的净利润大幅跃升至330.12亿元。在产品价格方面，尽管第一季度长鑫存储的平均售价（ASP）与国际大厂相比仍有约20%的差距，主要由于缺乏高单价的高带宽内存（HBM）产品支撑，但进入第二季度后，其DDR DRAM产品线的价格已几乎与国际大厂持平。

尽管长鑫科技在产能和市场份额上取得了显著进展，但美国在半导体设备出口方面的管制措施，仍为其先进制程的推进带来了巨大挑战。据业界人士透露，由于无法顺利获取先进光刻机、高端刻蚀及薄膜沉积等关键设备，长鑫存储的工艺升级面临瓶颈。这导致其无法通过快速微缩工艺来提升单片晶圆的产出，只能通过新建晶圆产线和增加投片量来弥补生产效率的不足。据估算，与三星电子、SK海力士和美光等国际巨头相比，长鑫存储单片晶圆的比特产出量仅为其60%左右。当三大国际存储器巨头将主力制程推进至1β纳米并向更先进节点迈进时，长鑫存储在2026年的主力产出制程仍停留在16纳米。

这意味着，尽管长鑫科技通过大规模资本支出扩张产能，其晶圆产能市场份额未来有望翻倍并挑战20%以上的目标，但受制于工艺升级瓶颈，其比特产出市场份额可能无法与晶圆产能同步增长，预计将维持在15%至16%之间。业界人士指出，长鑫科技未来的关键不仅在于高带宽内存等高端产品的研发与量产，更在于如何突破先进设备受限带来的工艺制约，并构建上下游垂直整合的供应链体系，以避免晶圆产线与比特产出之间出现长期落差。