英伟达新平台带火NAND，三星六成产能被锁定

与动态随机存取存储器（DRAM）原厂主动将产能转移至高带宽内存（HBM）不同，NAND闪存市场的需求增长主要受新应用驱动。据报道，英伟达在GTC 2026大会上推出了上下文内存存储（CMX）平台，使NAND闪存从单纯的数据存储外设转变为人工智能推理算力的重要组成部分。

随着人工智能大模型的上下文窗口不断扩大，百万级Token已成为常规配置，导致键值（KV）缓存数据量大幅上升。由于HBM成本较高，英伟达选择将对响应速度要求不高的温数据转移至固态硬盘（SSD）。CMX平台正是在图形处理器（GPU）的HBM与传统存储设备之间新增的中间层。

在硬件配置上，单台CMX设备最多可搭载576块企业级SSD，总存储容量接近10PB。以Vera Rubin NVL72服务器为例，其配备的72颗GPU每颗均分配16TB SSD，该层级总容量达1.152PB。据机构估算，受CMX平台带动，2026年NAND闪存新增需求约为3500万TB，2027年这一数字将增长至1亿TB以上，其需求规模相当于苹果公司各类终端产品的年度NAND采购总量。

在产能供给方面，全球NAND闪存月产晶圆超过10万片且年化产能达到2.5亿TB的厂商仅有三星。为满足上述需求，三星将其V-NAND总产能的约60%分配给英伟达CMX平台，导致个人电脑、消费级SSD及数据中心等其他客户的产能份额降至40%以下。

技术迭代方面，三星目前的V9（286层）产品占V-NAND总产能的60%左右，良率超过80%。2026年上半年量产的V10（400层）产品产量占比不足5%，但其存储密度较V9提升50%，并在业内率先采用钼替代钨作为字线材料，线宽缩小30%至40%。此外，V11（400至500层）产品已进入试产阶段，下半年试产规模计划翻倍。从V8到V9的世代交替仅耗时一年，产品迭代速度显著提升。同时，三星平泽P4工厂仍有超过半数的NAND洁净室处于未启用状态，具备充足的产能储备。

据高盛预测，2026年三星NAND闪存平均价格将上涨283%，2027年将继续上涨33%。在消费级市场，若CMX平台需求保持强劲且人工智能推理技术持续迭代，三星大部分产能被英伟达占据，消费级SSD价格将难以回落。尽管V11的500层堆叠技术在理论上有助于降低消费级SSD成本，但这需要三星将相关产能重新分配至消费市场，而目前的产能规划并未体现这一趋势。