长鑫科技二期工程加速建设

据每日经济新闻实地采访及新浪财经报道，长鑫科技位于安徽省合肥市新桥示范区的12英寸动态随机存取存储器（DRAM）晶圆制造基地二期项目正在紧张施工中。现场有多家建设团队同时作业，夜间也未停工。相关人员透露，由于工期较紧，该项目现阶段主要进行土建与设备配套设施建设，距离正式投产还有一段时间。虽然长鑫科技的招股说明书并未详细披露各个募投项目的具体建厂地址，但实地考察证实了合肥新桥园区内确有大型12英寸晶圆厂在持续建设。

长鑫科技近期完成了A股申购，每股发行价为8.66元人民币，预计募集资金295亿元人民币。这笔资金将主要用于晶圆制造产线升级、DRAM技术研发以及前瞻性技术布局。根据募资计划，DRAM技术升级项目将投入130亿元人民币，重点对刻蚀、薄膜沉积和清洗等工艺设备进行升级，预计在2026年至2027年间完成设备的搬入与调试，并在2028年上半年通过验收。另外，晶圆制造量产线技术升级项目将分配75亿元人民币，旨在逐步向中高端DRAM产品工艺过渡。

长鑫科技的招股书显示，到2025年底，该公司的在建工程账面价值预计约为317.9亿元人民币。这些工程主要涵盖合肥一期技术升级、合肥二期以及北京生产线等项目。随着这些工程相继竣工，将成为公司提升产能的核心力量。目前，长鑫科技在合肥和北京共拥有3座12英寸DRAM晶圆厂。据SemiAnalysis预测，若各项扩建工程按计划推进，到2026年底，其12英寸晶圆的月产能有望达到约35万片。

此外，合肥新桥园区近年来已逐步发展成为一个半导体产业集群。长鑫二期基地周边不仅汇聚了众多半导体设备供应商，还毗邻北方华创合肥基地以及深科技旗下的存储封测厂合肥沛顿。深科技此前透露，合肥封测厂的产能目前保持满载状态，并正根据客户需求继续扩大产能，这表明当地的DRAM制造与封测供应链正在同步扩张。