塔塔印度晶圆厂改90纳米起步，量产延至2028年

塔塔电子在印度古吉拉特邦多莱拉建设的首座大型芯片制造厂，其初期量产工艺将调整为90纳米，而非此前宣布的28纳米。据知情人士透露，该工厂将使用90纳米工艺制造印度本土首批晶圆，主要面向汽车与工业设备等成熟应用领域。对此，塔塔电子方面回应称，工厂工艺节点涵盖28纳米至110纳米，初始阶段优先导入55纳米和90纳米，后续再推进28纳米工艺，后者依然是产品矩阵的核心。

该项目由塔塔电子与力积电共同建设。力积电方面表示，双方合作涉及多个工艺节点，最高至28纳米，技术平台按阶段引入，优先采用成熟工艺。此前塔塔集团年度报告曾规划以28纳米开启芯片制造业务，并逐步向先进制程演进。

在资金方面，多莱拉芯片制造厂计划资本支出为107亿美元（约人民币725.50亿元）。印度政府此前推出的100亿美元（约人民币678.04亿元）半导体激励计划将分担部分建设费用。此外，印度政府于7月15日新增批准了1.28万亿卢比（折合133亿美元，约人民币901.79亿元）的补贴，重点支持芯片设计、制造设备及供应链，但该资金不适用于已确定的历史支出。

关于量产进度，塔塔电子原定2026年底启动商业化生产。据印度电子和信息技术部部长阿什维尼·瓦伊什瑙最新透露，多莱拉工厂的商业化运营时间预计将推迟至2028年年中。

注：按1美元≈6.78人民币计算