欧盟批51亿补贴，德国四大芯片项目同步获扶持

据欧盟委员会7月14日发布的公告，一项总额达6.59亿欧元（约人民币51.14亿元）的德国国家援助计划已获正式批准。该笔资金将用于扶持四个在欧洲具有首创意义的半导体制造项目。此次援助资金由德国联邦政府及北莱茵-威斯特法伦州地方政府共同承担。据公告信息显示，这些项目均被认定为欧洲首创生产线，相关补贴符合《欧洲芯片法案》的战略规划，旨在提升欧盟在半导体供应链上的自主可控水平。

在这批受资助的企业中，德国中小型企业Element 3-5 GmbH拿到了3.53亿欧元（约人民币27.39亿元）的直接拨款。这笔资金将用于在北莱茵-威斯特法伦州巴斯韦勒投建一座碳化硅（SiC）外延晶圆制造厂。公开资料显示，这家总部位于巴斯韦勒的公司主要致力于宽禁带半导体设备及外延工艺的研发，其核心产品涵盖面向氮化镓、氮化铝及SiC的外延量产系统。据悉，其设备方案支持晶圆垂直放置生产，在降低颗粒污染的同时保证薄膜均匀性，高度契合第三代半导体单晶外延的量产标准。

该项目被命名为SiCnature，致力于构建欧洲首条专业化的SiC外延晶圆生产线。作为制造SiC功率器件的关键基础材料，SiC外延晶圆通过在碳化硅衬底上生长高质量薄膜制成。据公告信息显示，该工厂将引入新型制备技术，相较于传统的热壁化学气相沉积（CVD）方案，可显著提高整体制造效率、工艺良率以及生产能效。其生产的外延晶圆将广泛应用于新能源、通信、工业设备和汽车电子等行业。

除上述企业外，另外三家公司也同期获得了资金支持。其中，Vishay Siliconix Itzehoe GmbH获批2.14亿欧元（约人民币16.61亿元），主要用于打造硅基功率MOSFET生产线；KLA-Tencor MIE获得7440万欧元（约人民币5.77亿元），以布局薄膜量测与先进光学套刻设备产线；KETEK GmbH则拿到1790万欧元（约人民币1.39亿元），用于建设特种芯片及硅漂移探测器生产线。

从欧洲本土的碳化硅产业格局来看，意法半导体、英飞凌等IDM（集成器件制造）巨头多采取垂直整合策略，其SiC外延产能主要满足内部需求。这导致面向外部市场的独立商业化SiC外延晶圆供应相对匮乏，大量材料需从海外进口。近年来，在《欧洲芯片法案》资金的推动下，欧洲正不断完善碳化硅全产业链布局。例如，意法半导体在意大利建设涵盖晶圆制造、外延及衬底的碳化硅园区，安森美也在捷克投建包含器件制造、外延和衬底的8英寸SiC一体化工厂。然而，专门针对第三方客户且独立运营的专业SiC外延产线依然不多。业内分析指出，Element 3-5的新工厂投产后，将有效弥补欧洲在第三方SiC外延产能方面的不足。

注：按1欧元≈7.76人民币计算