未来三年存储器行业怎么走？兆易创新给出三大看点

随着人工智能计算需求不断推动全球存储器市场增长，业界的关注点已从单纯的价格波动，转向产能扩张步伐、需求持续性以及新应用商业化等中长期影响因素。据中国半导体产业协会内刊消息，兆易创新Flash事业部市场总监薛霆在近期的采访中，提出了决定未来三年存储器行业走向的三大关键观察维度。

这三大维度具体涵盖大容量DRAM和NAND的产能扩充步伐、人工智能引发的供需周期演变，以及具身智能和端侧AI等新型终端设备能否实现规模化商用，它们将共同指引产业下一阶段的演进方向。

当前，全球主流存储芯片制造商正积极筹备新一轮的DRAM与NAND产能扩建。然而，从设备入驻、工艺调试到最终量产，通常需要耗费一年以上的周期，这意味着扩产计划的公布并不等同于产能的即刻释放。实际的大规模供货情况仍需密切关注各家企业的实际推进速度。在未来数年内，大容量存储芯片的新增产能能否按期投产，将成为左右市场供需平衡的核心变量。

薛霆指出，人工智能的蓬勃发展不仅促使市场需求急剧上升，还引导国际巨头将更多资源倾斜于高容量和高带宽存储产品，这为部分细分Flash市场创造了新的供应机遇。以SLC NAND市场为例，伴随部分国际厂商的逐渐退出，工业控制、安防监控及网络通信等领域依然保持着稳定的需求，这种市场外溢效应也惠及其他相关企业。

针对NOR Flash领域，兆易创新透露其SPI NOR Flash产品线已全面采用45纳米工艺。在薛霆看来，与集成器件制造商（IDM）模式相比，无晶圆厂（Fabless）企业在应对NOR Flash和SLC NAND等规格繁杂、需求多样的细分市场时，具备更强的产品规划与产能调度灵活性，能够根据市场变化迅速调整战略。

关于本轮存储器行业周期，薛霆强调其本质区别于以往由个人电脑和智能手机驱动的库存周期，而是由人工智能驱动的“结构性需求增长”。特别是北美地区大型AI数据中心的不断扩建，显著拉升了各类非易失性存储器的需求，进一步加剧了整体市场的供需紧张态势。他进一步说明，在AI服务器中，除了HBM和DDR等主存储器外，NOR Flash同样发挥着关键作用。无论是CPU BIOS、基板管理控制器（BMC）固件，还是高速光模块的配置，均离不开高可靠性Flash产品的支撑。

除了对容量的需求不断增长，AI模型的本地化部署也推动了Flash向高速化方向演进。兆易创新介绍，公司已推出支持8-bit SPI、双倍数据传输率（DTR）以及可同步进行擦写与读取操作的高速NOR Flash产品，其最高读取速度可达400MB/s，从而满足AI芯片快速加载本地模型的应用需求。

在第三大观察维度上，薛霆认为新型终端应用能否实现规模化落地，将决定下一波存储器市场的增长动能。他特别看好具身智能和智能汽车领域的长期需求。以人形机器人为例，其计算架构与汽车高级驾驶辅助系统（ADAS）相似，控制芯片、AI处理器及各类传感器均需配备NOR Flash和NAND Flash。另一方面，随着L3级自动驾驶的逐渐普及，汽车搭载的传感器数量将持续增多，每个模块都需要配置非易失性存储器，这将成为车用Flash市场增长的重要源泉。

综合来看，未来三年存储器产业在持续受益于人工智能红利的同时，更应密切关注产能扩张步伐能否匹配需求增长、AI需求能否延续并构建新的供需平衡，以及新型AI终端能否成功跨越概念验证阶段并迈向大规模商业化。这三大核心因素，将成为洞察全球存储器产业下一阶段发展趋势的重要风向标。