上海临港布局第四代半导体，三年规模力争突破五十亿

今年7月初，上海临港新片区管委会正式发布了针对2026至2028年的第四代半导体未来产业集聚区建设行动方案。作为国内首个聚焦该赛道的地方性专项产业政策，该方案明确了至2028年底的量化发展指标。届时，该区域将汇聚至少50家产业链上下游企业，整体产业规模有望达到50亿元人民币，从而打造出辐射长三角并在国内处于领先地位的材料与专用器件先导区。

在技术演进方向上，该规划确立了超宽禁带与超窄禁带两大前沿材料体系。具体而言，前者主要聚焦氮化铝、金刚石以及氧化镓；后者则侧重于锑化镓和锑化铟。这些材料将广泛应用于深紫外光电器件、芯片热管理、量子传感、红外探测及功率器件等多个前沿领域。

为确保技术落地，文件部署了涵盖产业生态培育、场景示范、公共验证平台、先进封装、专用装备、核心器件量产、外延工艺及基础材料攻关的八大重点工程，打通了从实验室到规模化商用的全链条。在空间规划上，初期将依托片区大学科技园和滴水湖青创湾，重点建设概念验证平台与孵化器；中远期则向“东方芯港”延伸，结合现有的封测与晶圆制造资源，推动其与高端装备、航空航天、新能源汽车等产业的协同发展。

临港新片区推出了包括载体空间扶持、流片验证补助、项目攻关补贴及未来产业基金在内的多项配套措施。特别是针对锑基红外芯片、金刚石半导体加工和氧化镓衬底等关键技术，设立了专属支持通道并提供高额研发资金，以有效降低企业的试错成本。据公开产业资料显示，第四代半导体材料在量子精密测量、AI芯片散热、极端环境探测及高压电力电子等方面具有显著优势，目前全球尚处于产业化初期。此次专项规划的出台，为国内相关产业的集群化发展指明了方向。