NP8205 20V双N沟道增强型MOSFET

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描述

● NP8205采用先进的沟槽技术，提供出色的RDS（ON）、低栅电荷和低至2.5V的栅电压操作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。

功能

● V_DS=20V，ID=6.5A

R DS（ON）=14.6mΩ（典型值）@VGS=4.5V

R DS（ON）=18.4mΩ（典型值）@VGS=2.5V

● 高功率和电流承载能力

● 获取无铅产品

● 表面贴装封装

应用

● 电池保护

● 负载开关

● 电源管理

封装

● SOT23-6L

示意图

引脚配置