美光称AI存储需求旺盛，HBM产能已售至2026年

据美光CEO Sanjay Mehrotra在近期的财报会议上透露，由于人工智能训练与推理过程需要处理海量数据，高带宽存储器（HBM）与高性能DRAM已成为不可或缺的核心组件。当前存储芯片行业普遍面临产能短缺的挑战，美光也不例外。目前，该公司仅能满足部分核心客户中期订单需求的50%至66%。Mehrotra指出，AI系统的整体性能高度依赖存储子系统的容量与速度，这使得存储芯片在人工智能领域跃升为关键战略资产。他预计，DRAM与NAND市场的供不应求状态将延续至2027年之后，即便2028年起供应情况可能有所缓解，但短期内仍难以准确预测产能何时能完全匹配需求的增长，供需紧张将成为未来两到三年的常态。

在先进技术的商业化落地方面，美光的推进速度超出了市场预期。据Mehrotra透露，其HBM4产品的累计出货额已突破10亿美元（约68.11亿元人民币），其中12层堆叠版本的产能释放速度达到了HBM3E的两倍，且2026年的HBM产能已基本被预订一空。为了平衡各端市场的需求，美光在战略上致力于使HBM的市场份额与整体DRAM业务占比保持一致。随着云服务商和AI模型开发商不断增加对人工智能基础设施的投资，存储芯片在AI服务器成本结构中的比重正快速上升。为此，美光计划上调资本支出，预计2026财年第四季度的资本支出将达到约100亿美元（约681.12亿元人民币），全年总资本支出约为270亿美元（约1839.01亿元人民币），这些新增资金将主要用于扩充HBM、先进DRAM以及先进封装的生产能力。

在产能扩充进度上，美光正在稳步推进多个项目。位于美国爱达荷州的ID1和ID2两座DRAM晶圆厂建设进展顺利，ID1预计于2027年年中实现首批晶圆产出，ID2则计划在2028年底开始出货。同时，弗吉尼亚州马纳萨斯的晶圆厂已经启动了1α（1-alpha）DDR4工艺的首次量产，这将进一步提升其在汽车、工业、医疗及航空航天等传统领域的供应能力。此外，新收购的中国台湾地区铜锣生产基地预计将在2027年年中实现产品出货，比原计划提前了一个季度，该基地还在建设第二个同等规模的洁净室，以支持EUV光刻设备的引入。

除了数据中心市场的强劲表现，边缘人工智能和终端设备也展现出广阔的发展前景。在汽车领域，L2+及以上级别的高级自动驾驶汽车所需的存储容量是普通车辆的五倍以上，且市场渗透率正在快速攀升。更具长远潜力的是机器人市场，Mehrotra认为人形机器人所搭载的存储容量大约是L2+级自动驾驶汽车的十倍，这有望开启一个长达数十年的存储需求超级周期。

针对当前的供需失衡，美光管理层总结了四个结构性原因：首先，新建晶圆厂项目规模庞大、建设周期长，且受到劳动力和能源基础设施短缺的制约；其次，随着工艺节点的升级，技术复杂度的增加导致存储容量（比特）增速放缓；第三，HBM的生产极度消耗晶圆产能，严重挤压了非HBM产品的供应空间；最后，有限的洁净室物理空间也直接限制了产能的进一步扩张。

注：按1美元≈6.81人民币计算