2026年一季度存储市场：三星居首，国产份额大增

根据市调机构Counterpoint Research发布的2026年第一季度全球存储芯片市场报告，三星电子在DRAM和NAND闪存领域继续保持销售收入第一的位置。同时，SK海力士凭借超过50%的市场份额，在高带宽存储器（HBM）领域维持领先优势。此外，中国本土企业在DRAM和NAND市场的份额扩张显著，部分厂商的市场占有率在一年内实现了两倍以上的增长。

据韩国媒体《韩国经济》与IT Chosun援引上述机构的数据，今年第一季度DRAM市场整体规模环比增长80%，同比增幅高达260%。在市场份额方面，三星以38%的营收占比位列榜首，较去年同期增加4个百分点。SK海力士的份额从36%降至29%，排名第二。美光则以22%的占比位列第三。长鑫存储的市场份额从去年同期的3%迅速攀升至8%，进一步缩小了与头部企业的差距。

在NAND闪存领域，受产品价格上涨因素推动，全球市场规模环比增长90%。三星的市场份额虽从去年第一季度的31%微降至29%，但依然占据首位。SK海力士的占比从16%升至18%，位居次席。铠侠占据14%的份额。得益于价格上行，长江存储的市场占有率由去年同期的8%增长至13%，与美光和SanDisk处于同一梯队。

高带宽存储器市场方面，SK海力士的份额虽从去年同期的69%回落至58%，但依然保持绝对领先。三星和美光的份额均提升至21%（去年分别为13%和18%），逐步缩小了与榜首的差距。该机构表示，当前HBM的销售收入主要源于HBM3E产品，HBM4的大规模出货预计在今年下半年启动。由于三星已经向英伟达交付HBM4产品，其后续在该领域的市场份额有望继续扩大。

针对中国存储企业市场份额的快速提升，相关分析认为，这主要得益于国际大厂将产能向人工智能相关产品倾斜，以及本土智能手机和家电终端厂商对国产存储芯片的采购增加。同时，国内半导体产业链的自主化进程也起到了推动作用。在通用存储芯片领域，中国厂商已开始展现出价格竞争优势。面对这一趋势，韩国企业需要在推进下一代产品研发以保持技术优势的同时，进一步压缩通用存储芯片的制造成本，以应对市场份额被挤压的风险。