三星平泽P5新厂提前半年动工，砸重金抢AI红利

据韩国产业媒体TheBell报道，受全球人工智能基础设施建设浪潮的推动，数据中心与AI算力集群对高带宽内存（HBM）、动态随机存取存储器（DRAM）以及企业级NAND闪存的需求不断攀升。同时，先进制程代工订单也在增加。为此，三星电子修改了长期的资本支出计划，决定将平泽半导体园区P5 Fab2工厂的投资与建设日程提前大约六个月。

作为三星平泽园区规划中的第六座且最后一座300毫米晶圆厂，P5 Fab2占地面积约为12.8万平方米，将建设地上三层的一体化无尘室。该产线具备柔性混合制造能力，能够同时生产各类高端存储芯片及逻辑代工产品，涵盖HBM、新一代1D DRAM、高层数NAND闪存和多代先进制程逻辑芯片。预计该厂在2029年投产后，每月可生产20万至30万片300毫米晶圆。此外，同地块的P5工厂已在2025年底开建，计划于2028年投产。这两座结构相似、产能相近的工厂总投资额超过韩元120万亿（约人民币5317.20亿元）。双厂全面达产后，每月300毫米晶圆的总产能最高可达60万片，这几乎等同于三星目前DRAM的月总产量。

关于最新的施工进展，该媒体透露，P5 Fab2项目地块的边界划定工作已经结束，现场的集装箱也已完成清理和转移。近期，大量打桩机等重型施工设备已集中进驻工地。知情人士指出，这些大型机械的批量入场意味着实质性的土建工程马上就要开始，业界预计该工厂将在2026年7月正式举行开工仪式。

注：按1韩元≈0.0044人民币计算