逆势押注FG架构，SK海力士大连布局AI存储

据韩媒The Bell引述业界消息透露，SK海力士计划于2026年第三季度在中国大连二厂设立200层浮栅（FG）结构NAND Flash的单通道（one path）试产线。针对该项投资计划，SK海力士方面回应称，目前暂无法对外确认具体细节。

据悉，相关设备的采购工作已经启动，主要设备预计在2026年下半年至2027年上半年期间陆续搬入工厂，并计划于2027年下半年实现正式量产。单通道产线主要用于验证新研发产品的量产可行性与成品率。虽然该企业在200层级别NAND的大规模量产方面经验丰富，但由于此次采用的是基于FG结构的全新产品，因此需要专门建立试产线进行前期验证。

目前，SK海力士量产的238层NAND主要采用电荷捕获（CTF）结构。尽管大连一厂此前生产过FG结构产品，但仅限于144层和192层。在当前的NAND行业中，除了SK海力士旗下的Solidigm外，三星、美光、铠侠等主流厂商均已转向CTF结构，FG结构在业内通常被视为上一代技术。

SK海力士之所以坚持量产200层FG结构NAND，主要是因为其数据稳定性优于CTF结构，能够更好地满足AI数据中心对海量数据长期存储和高稳定性的需求。此外，采用FG结构可以直接复用Solidigm现有的供应链管理体系。大连工厂作为收购英特尔NAND业务时获得的资产，其供应链、设备及工艺体系与韩国本土产线相对独立，目前仍维持单独的运营模式。

为了进一步拓展企业级固态硬盘（eSSD）市场，SK海力士还计划引入四级单元（QLC）技术。QLC具备存储密度高和生产成本低的特点，被业界视为eSSD的理想架构，目前多家NAND制造商也在积极布局或转换QLC产线。业内分析指出，此次产能扩充将有助于SK海力士在企业级固态硬盘市场缩小与行业龙头三星的差距。相比之下，三星目前正优先将闲置的洁净室空间用于DRAM生产，其NAND产能的扩张步伐相对较缓。