联电官宣新策略，新增订单将适度涨价

据联电在5月27日召开的股东会消息，该公司首席执行官王石指出，伴随人工智能应用的迅速拓展，半导体行业的长期需求依然具备增长潜力。联电在巩固成熟与特殊制程优势的同时，正积极推进美国12纳米FinFET平台、先进封装以及硅光子等前沿技术的布局，为未来的业绩增长奠定基础。据联电财务长刘启东透露，2026年下半年的整体运营表现预计将超越上半年，这主要得益于8英寸晶圆需求的回暖、22纳米制程转换红利的持续释放，以及新技术流片动能的逐步提升。

在产能利用率方面，联电2026年第二季度的整体产能利用率预计维持在85%左右。其中，12英寸晶圆厂的利用率显著高于平均水平，新加坡和厦门等部分厂区甚至接近满载状态。尽管8英寸产能利用率依然偏低，但近期已显现出复苏迹象。针对过去两三年相对低迷的8英寸市场，尤其是中国大陆部分12英寸产线以“类8英寸”模式带来的价格竞争，联电表示其8英寸产线主要聚焦特殊制程，通过持续推出升级版工艺，基本盘依然稳固。

关于价格策略，刘启东表示，受原材料价格上涨及新加坡扩厂成本显著高于中国台湾地区等因素影响，联电2026年下半年将实施“选择性涨价”。公司并非采取机会主义全面提价，而是希望客户认可其技术与制造价值。现有长期协议价格保持不变，但针对新增订单、新制程及新产能，将适度反映当前的成本与投资压力，涨价幅度相对温和。此外，联电已开始与客户探讨2027年的合作模式，旨在围绕未来投资、成本结构及市场环境进行全面协商，以达成双赢方案。

在全球产能布局上，新加坡新厂因具备地缘政治避险优势，吸引了众多客户将其作为第二供应来源或增加流片布局。该厂目前规划月产能约1.2万至1.3万片，未来有望提升至1.8万片。新产能将于2026年陆续释放，大规模量产预计落在2027年，主要产品涵盖22/28纳米及部分特殊制程。目前新加坡P4厂房主体已经完工，后续将根据市场需求导入硅光子、先进制程及先进封装等新技术。此外，联电新加坡12i厂第三期扩建已正式启用；与英特尔合作的12纳米FinFET平台也将继续支持数字电视、Wi-Fi连接及高速接口产品，成为其在美国本土制造的重要据点。

在先进封装领域，联电的核心策略是在少数厂商主导的市场中为客户提供更多供应链选择。刘启东强调，公司目前聚焦于晶圆级封装，而非传统的外包封测（OSAT）后道封装，因为后者所需的设备与工艺技术与晶圆代工差异较大。目前，联电已将中介层（Interposer）相关产能从每月3000片扩充至6000片，以满足客户需求，现阶段以55/65纳米平台为主。在先进封装部署上，联电正与十多家客户展开合作，2026年将有超过35个新产品流片，预计2027年相关营收将大幅增长。目前，桥接芯片（bridge die）与深沟槽式电容（DTC）已迈入量产阶段。

在硅光子技术方面，联电此前已与比利时微电子研究中心（Imec）签署技术授权协议，计划于2027年发布PDK1.0。当前的设计主要针对可插拔解决方案，同时公司也在评估混合键合（Hybrid bond）、硅通孔（TSV）及芯粒（Chiplet）互连技术，为未来的光电共封装（CPO）做准备，目前的讨论多集中于光子集成电路（PIC）的客户参与。

在产品与市场需求端，联电正大力推进22纳米平台的升级策略，引导客户从28纳米向22纳米迁移，并采取“加量不加价”的模式，有效提升了22纳米的渗透率。应用层面，高端智能手机相关需求最为旺盛，包括OLED驱动芯片、电源管理芯片（PMIC）等特殊制程需求强劲，且受中低端手机市场波动的影响较小。