三星HBM4 DRAM，良率不足60%

据韩媒Chosun Biz援引行业消息，三星1c DRAM芯片良率近期已提升至80%，跨过行业界定的成熟良率门槛。不过业内普遍认为，这一数据并不能直接等同于HBM4的量产良率。
综合三星内部评估及外部机构测算，现阶段三星HBM4定制DRAM的良率尚且低60%。为此，三星规划在2026年下半年，实质性提升HBM4配套DRAM的良率水平。
相较于通用DRAM，HBM4需要经过堆叠、封装、散热调控、信号稳定性优化等多道工序，即便同样基于1c工艺打造，HBM4的生产制造难度也要高出不少。相关人士透露，即便单颗DRAM芯片良率达到理想水平，后续组装加工为HBM4成品的环节，整体良率依旧会出现损耗。
业内分析认为，三星1c制程DRAM良率持续改善，整体发展趋势向好，但对照HBM4高端量产的严苛要求，当前良率水准依旧存在明显差距，尚未迈入成熟量产阶段。
目前三星已开启HBM4出货，顺利完成技术验证并切入初期市场。但行业普遍判断，后续大规模量产供货的市场竞争，核心关键在于良率与成本的双向稳定。
业内直言，三星眼下的核心要务是要加速迭代HBM4用DRAM工艺、在下半年完成良率规模化升级，这将直接决定其能否稳固自身在高端AI存储领域的市场话语权。

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