长江/长鑫存储，扩产提速

据南华早报报道，市调机构Counterpoint Research分析师MS Hwang表示，中国存储厂商正凭借产能规模优势不断缩小与国际头部企业的差距，同规格产品也展现出强劲竞争力。
长江存储计划于2026年下半年在武汉新产线量产先进NAND产品。若项目顺利推进，公司有望超越SK海力士和美光，成为仅次于三星电子、铠侠的全球第三大NAND Flash厂商。
长鑫存储则聚焦AI赛道，计划在上海厂区量产HBM等专用存储芯片。据其母公司睿力集成电路公告，长鑫存储将从IPO募集资金中安排75亿元人民币用于技术升级。
瑞银预计，2026年中国存储厂商月扩产规模将达12 万～14万片晶圆，2027年进一步提升产能。Hwang认为，设备补贴政策将进一步提升国产存储竞争力。
不过市场也担忧需求存在虚火，深圳勤哲咨询指出下游客户提前囤货或放大实际需求。但Hwang表示，在长期供应协议支撑下，目前并未出现库存过剩，整体需求依然强劲。
不过市场仍存在对虚高需求的担忧。深圳勤哲咨询表示，下游客户为规避价格波动而提前备货，可能造成实际需求被放大。但黄女士认为，在 GPU 厂商与云服务商大量签订长期供货协议的支撑下，当前备货行为尚未引发库存过剩，市场整体需求依旧旺盛。

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