英飞凌：800V供电，GaN用量爆发

据业内人士透露，AI数据中心的800V供电系统对宽禁带半导体的需求已成为市场共识，其中氮化镓（GaN）的用量预计将快速提升，导入比例甚至有望超过碳化硅（SiC）。
英飞凌（Infineon）电源与传感事业部总裁Adam White在近期举办的活动中表示，未来AI服务器的功率将从目前单机柜500kW逐步提升至兆瓦（MW）级别，AI数据中心的功率半导体价值量预计将达到每千瓦150美元，这一趋势将为功率半导体市场带来巨大增长机遇。
英飞凌同时指出，从2026年开始，AI数据中心的电源架构将逐步转型。当前单机柜整合计算与供电的系统，将向三相高压电源Sidecar架构演进，最终实现由少量集中供电核心为多个服务器机柜供电的架构。固态变压器、固态断路器等新技术也将逐步在AI数据中心落地应用。
英飞凌强调，公司在硅基、氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）三大技术领域具备独特优势，这三类材料将为AI数据中心功率半导体方案提供更多优化选择。例如，GaN在高开关频率场景中的应用正在快速增加，而800V供电系统里中低压模块的需求量最大，将显著拉动GaN的用量。
Adam White表示，目前给出的每千瓦150美元功率半导体价值量评估仍偏保守。功率半导体是AI数据中心的核心关键器件，市场规模将随着数据中心电源需求的持续增长而不断扩大。
在本次活动中，英飞凌还推出了一系列新产品，包括集成GaN的高压母线转换电源，方案从800V转48V进一步升级至800V转12V；同时展示了数字多相PWM降压控制器、集成PMBus的PoL稳压器、TLVR四相模块等产品，以及PSU、BBU解决方案和eFuse、热插拔（Hot swap）等保护器件。

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