英伟达推动GaN技术应用，安森美与格罗方德合作加速布局

据外媒报道，美国功率半导体企业安森美（On-Semi）近期与晶圆代工厂格罗方德（GF）达成全新合作协议，双方将共同研发并制造下一代氮化镓（GaN）功率元件。首发产品为650V元件，预计于2026年上半年开始提供样品。与此同时，意法半导体（ST Micro）也针对服务器电压转换提出了GaN技术解决方案。

随着AI数据中心电力需求不断攀升，电源系统正面临高功率密度、低损耗与高效率的多重挑战。NVIDIA宣布将在2025年推动高压直流（HVDC）800V供电架构设计，进一步加速第三代半导体GaN在数据中心等领域的应用渗透。

GaN技术的优势显著，主要体现在三个方面。首先，GaN技术具备更高的开关频率，可帮助设计人员减少元件数量、缩小系统尺寸并降低成本，同时提升能效和散热性能。其次，GaN技术具有双向导通能力，支持全新拓扑结构，可替代多达4个传统单向晶体管，从而简化设计并降低成本。此外，通过在单个封装内整合GaN FET与驱动器、控制器、隔离和保护功能，可缩短设计周期并降低电磁干扰。

安森美表示，此次与格罗方德的合作将结合后者200毫米增强型硅基氮化镓（eMode GaN-on-silicon）工艺，以及安森美领先的硅基驱动器、控制器和强化散热封装技术，为AI数据中心、汽车、工业、航空航天等应用场景提供更小、更高能效的优化系统解决方案。

意法半导体近期也发布了基于GaN技术的服务器电源管理解决方案，并与NVIDIA合作开发了12 kW、800V至50V的DC-DC转换板，采用GaN技术和STM32微控制器（MCU）解决方案。该方案进一步推动了GaN技术在数据中心电源系统中的应用。

目前，英飞凌（Infineon）、纳微半导体（Navitas）、德州仪器（TI）、罗姆（Rohm）、英诺赛科等GaN领域企业正通过与NVIDIA合作，深化与客户的关系，稳固自身在供应链中的地位。