瑞萨电子调整业务重心，发力边缘AI与GaN功率半导体

据日经新闻与日刊工业新闻报道，日本半导体厂商瑞萨电子（Renesas）宣布将停止碳化硅（SiC）功率半导体的量产，同时将业务重心转向边缘AI、AIoT市场以及AI数据中心相关领域。公司已推出新款微控制器（MCU）和氮化镓（GaN）功率半导体，以应对新兴市场需求。

瑞萨新推出的MCU型号为「RA8P1」，专为边缘AI设计，采用ARM核心架构和台积电22纳米超低漏电制程技术。与此前的40纳米制程相比，新产品在性能和能效方面均有显著提升。其AI推理处理性能较旧款产品提高了30倍以上，内建高耐久性MRAM和神经网络处理单元（NPU），可实现每秒2,560亿次指令（256 GOPS）的运算能力，适用于驾驶员监控系统（ADAS）、车载摄像头和传感器等需要高速处理的场景。

在功率半导体领域，瑞萨推出了针对AI数据中心和电力基础设施的650V GaN FET。该产品采用第4代加强型（Gen IV Plus）制程技术，裸片面积比上一代缩小14%，电阻降低14%，有助于降低系统成本并提升效率和功率密度。据瑞萨透露，新产品的售价预计可降低约10%。

瑞萨于2024年收购美国Transphorm后正式进入GaN市场，此次推出的650V GaN FET是收购后的首款产品。目前，瑞萨在日本福岛县的6英寸晶圆生产线生产GaN功率半导体，但计划从2027年起转向8英寸晶圆，并委托三垦电气（Sanken Electric）的美国子公司Polar Semiconductor（PSL）代工生产。未来还可能进一步转向12英寸晶圆。

在功率半导体领域，瑞萨已明确表示将退出绝缘栅双极型晶体管（IGBT）和SiC功率半导体业务，转而专注于金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）和GaN技术，积极布局AI服务器等新兴市场。