格力电器已建立SiC SBD和MOS芯片工艺平台

近日，格力电器碳化硅（SiC）SBD和MOS芯片工艺平台已成功搭建完成，部分产品不仅实现内部批量使用，还为多家芯片设计公司提供晶圆流片制造服务。与此同时，格力电器董事长董明珠卸任珠海零边界集成电路有限公司法定代表人及董事长职务，由副总裁李绍斌接任。

据公开资料显示，2018年格力参与多个碳化硅项目，正式进军第三代半导体领域，包括投资30亿元参与闻泰科技收购安世半导体，注资湖南国芯半导体，以及认购三安光电20亿元定增。同年，格力成立珠海零边界微电子有限公司，专注于工业级MCU和AIoT芯片的研发。零边界依托格力通信技术研究院的微电子所和功率半导体所，成为格力实现芯片自主可控战略的核心载体。

图源：企查查

在产品层面，零边界推出了EP系列功率器件，覆盖600V和1200V电压平台的IGBT、FRD和IPM等产品。2024年，其承担的“空调主控芯片国产化”项目取得突破，部分产品已实现量产应用。

格力在SiC芯片领域的制造能力同样引人注目。位于珠海高新区的6英寸SiC芯片工厂是亚洲首座全自动化IDM工厂，从奠基到通线仅用388天，总投资55亿元，规划年产24万片SiC晶圆。目前，工厂良率稳定在99.6%，单片制造成本较行业平均水平低18%，为格力的成本控制和市场竞争力提供了重要保障。

格力自研的SiC芯片已在家用空调中实现规模化应用，装机量突破100万台。此外，格力正将SiC技术拓展至新能源汽车和光伏储能领域。例如，其“无稀土+碳化硅”技术在深圳地铁12号线的应用，预计每年可节电1500万元。