投入4.6亿人民币，8英寸SiC工厂建设新进展

近期，四个SiC相关项目在全球范围内取得建设进展。

晶能微电子的车规级Si/SiC半导体封测基地二期项目已正式开工，预计2026年竣工投产。晶能微电子的二期项目将新建生产性用房、生活服务用房及辅助用房，主要用于车规级功率器件系列产品的研发、生产、销售，并将一期生产线整体迁入新建厂房。

Vishay集团推进其位于英国南威尔士纽波特的8英寸SiC工厂建设，项目初始投资达4.65亿人民币。Vishay的Newport晶圆厂将被改造为8英寸车规级碳化硅和氮化镓生产基地，推进SiC MOSFET的商业化进程。

银芯微功率半导体有限公司的新模块代工厂正式开业，预计月产能可达20万只。银芯微的新工厂核心业务聚焦于IGBT功率模块和碳化硅功率模块的研发与生产。

晶驰机电半导体材料装备研发生产项目已投产，产品包括碳化硅外延设备、碳化硅晶体生长设备等。晶驰机电的产品线覆盖6英寸水平进气和8英寸垂直进气碳化硅外延设备等，预计达产后年产值1.4亿元。

这些项目的进展标志着SiC产业的快速发展和技术进步，为新能源汽车、工业应用等领域提供关键的半导体材料和器件。