同步降压 MOSFET 电阻比的正确选择

 进行这种折中处理可得到一个用于 FET 选择的非常有用的起始点。通常，作为设计过程的一个组成部分，你会有一套包括了输入电压范围和期望输出电压的规范，并且需要选择一些 FET。另外，如果你是一名 IC 设计人员，你还会有一定的预算，其规定了 FET 成本或者封装尺寸。这两种输入会帮助您选择总 MOSFET 芯片面积。之后，这些输入可用于对各个 FET 面积进行效率方面的优化。

首先，FET 电阻与其面积成反比例关系。因此，如果为 FET 分配一定的总面积，同时您让高侧面积更大(旨在降低其电阻)，则低侧的面积必须减小，而其电阻增加。其次，高侧和低侧 FET 导电时间的百分比与 VOUT/VIN 的转换比相关，其首先等于高侧占空比 (D)。高侧 FET 导通 D 百分比时间，而剩余 (1-D) 百分比时间由低侧 FET 导通。图 1 显示了标准化的传导损耗，其与专用于高侧 FET 的 FET 面积百分比(X 轴)以及转换因数(曲线)相关。很明显，某个设定转换比率条件下，可在高侧和低侧之间实现最佳芯片面积分配，这时总传导损耗最小。低转换比率条件下，请使用较小的高侧 FET。反之，高转换比率时，请在顶部使用更多的 FET。面积分配至关重要，因为如果输出增加至 3.6V，则针对 12V：1.2V 转换比率(10% 占空比)进行优化的电路，其传导损耗会增加 30%，而如果输出进一步增加至 6V，则传导损耗会增加近 80%。最后，需要指出的是，50% 高侧面积分配时所有曲线都经过同一个点。这是因为两个 FET 电阻在这一点相等。

注意：电阻比与面积比成反比

通过图 1，我们知道 50% 转换比率时出现最佳传导损耗极值。但是，在其他转换比率条件下，可以将损耗降至这一水平以下。附录 1 给出了进行这种优化的数学计算方法，而图 2 显示了其计算结果。即使在极低的转换比率条件下，FET 芯片面积的很大一部分都应该用于高侧 FET。高转换比率时同样如此;应该有很大一部分面积用于低侧。这些结果是对这一问题的初步研究，其并未包括如高侧和低侧FET之间的各种具体电阻值，开关速度的影响，或者对这种芯片面积进行封装相关的成本和电阻等诸多方面。但是，它为确定 FET 之间的电阻比提供了一个良好的开端，并且应会在FET选择方面实现更好的整体折中。

附录：图 2 的推导过程

将高侧面积比总 FET 面积定义为 . (注意：其为电阻比的倒数。) 让上面的方程式等于零，然后代入。